[发明专利]双沟道薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200610090849.8 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101097962A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陈晋升;刘志鸿;洪建兴;黄坤源 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种应用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的双沟道薄膜晶体管，其包含有基板、栅极、源极与漏极，此漏极还包括两个漏极电极，且这些漏极电极与源极形成双沟道，以及，一个沟道层位于该源极与该漏极和该栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种双沟道薄膜晶体管，包含有：基板；栅极，设置于所述基板上；栅极绝缘层，覆盖于所述栅极与所述基板；沟道层，设置于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极上方；以及源极与漏极，所述漏极还包括两漏极电极，且所述漏极电极与所述源极形成所述双沟道。
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