[发明专利]双沟道薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管，尤指一种具有双沟道的薄膜晶体管。

背景技术

一般而言，薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquid crystaldisplay，TFT-LCD)主要由彩色滤光片基板与位于两基板之间的液晶层所构成，其中薄膜晶体管阵列基板具有多个薄膜晶体管，并且薄膜晶体管是以矩阵的方式排列，且每个薄膜晶体管都有与其电性连接的像素电极，形成像素单元。薄膜晶体管是用来作为液晶显示单元的开关元件。其中，每一个薄膜晶体管是在绝缘基板上依序制作栅极、沟道层、源极/漏极。

请参考图1，图1为公知技术的薄膜晶体管的结构示意图。如上所述，公知技术的液晶显示器具有多个排列整齐的阵列式像素单元(未显示)。该像素单元主要由像素电极111和薄膜晶体管100所构成。其中薄膜晶体管100包含有基板(未显示)、栅极106、沟道层112和源极/漏极108/110层，其中源极/漏极108/110之间又具有沟道114。且栅极106与扫瞄线105电性连接，而源极/漏极108/110分别与数据线102以及像素电极111电性连接。

但是，在薄膜晶体管的制作过程中，常会因为沟道回蚀刻(back channeletch，BCE)工艺残留以及漏极与源极沟道(SD channel)工艺残留等问题，使得一些金属微粒或者是导电的污染物在完成蚀刻及清洗工艺后，仍残留在薄膜晶体管的沟道处，产生点缺陷，造成薄膜晶体管中源极和漏极之间的沟道发生短路情况，破坏薄膜晶体管控制开关的作用。

请参考图2至图3，图2至3为公知技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷的示意图。图2和3的条件延续图1的条件，不同的是，位于漏极110和源极108之间的沟道114却都发生了点缺陷202的情况，使得沟道114的功用被破坏，造成薄膜晶体管100无法正常开启或关闭来驱动相对应的像素单元(未显示)。在公知技术中，修补薄膜晶体管沟道点缺陷的方法主要有两种，第一种如同图2所示，利用点银胶等方式，形成导线204以直接将漏极110和数据线102电连接起来，因此不论扫瞄线(未显示)有无电压信号传入，薄膜晶体管100所对应的像素单元(未显示)内的像素电极和共同电极之间一直存在有电位差，亦即使此像素单元(未显示)内液晶分子直接随数据线102的所有数据信号偏转，维持呈现亮点的状态。另外一种修补薄膜晶体管沟道点缺陷的方法，则如同图3所示，利用激光等切割方法将漏极110局部切断，形成切口206，让漏极110和源极108无法电连结，使得其所对应的像素单元(未显示)无法接受数据线102的数据信号而产生电位差，液晶分子不会偏转，也就一直维持暗点的状态。

虽然，公知技术可以利用直接连接漏极和数据线的方式，使发生点缺陷的像素单元一直维持亮点，或者切断漏极使得发生点缺陷的像素单元始终保持暗点等方式，去修补发生点缺陷的像素单元，但是，无论哪一种修补方式，都无法正常驱动发生点缺陷的像素单元。因此如何研发出一种修补方法，使得发生点缺陷的薄膜晶体管仍能正常维持像素单元内的作动与功能，实为该领域的重要课题。

发明内容

本发明提供一种双沟道薄膜晶体管，以解决上述问题。

本发明的一优选实施例中，提供一种应用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的双沟道薄膜晶体管，其包含有栅极、源极与漏极，此漏极还包括两个漏极电极，且这些漏极电极与源极形成双沟道，以及，沟道层位于该源极与该漏极和该栅极之间。

由于本发明的薄膜晶体管的漏极具有两个漏极电极，而这些漏极电极各自和源极之间均可形成独立沟道，以构成一个双沟道薄膜晶体管结构。因此，当其中一个沟道因为点缺陷而被破坏时，便可通过切断部分漏极电极的方式，终止该异常沟道的运作，并利用其他功能完好的沟道继续作用，以维持像素单元内的薄膜晶体管依旧可以维持正常作动的功能。

附图说明

图1为公知技术的薄膜晶体管的结构示意图。

图2至3为公知技术修补薄膜晶体管沟道点缺陷之示意图。

图4为本发明薄膜晶体管的一优选实施例的结构示意图。

图5为本发明修补薄膜晶体管沟道点缺陷的一优选实施例的示意图。

图6为本发明薄膜晶体管的另一优选实施例的结构示意图。

图7为本发明修补薄膜晶体管沟道点缺陷的一优选实施例的示意图。

附图标记说明

100、500、700  薄膜晶体管

102、502、702  数据线

105、505、705  扫瞄线

106、506、706  栅极