[发明专利]双沟道薄膜晶体管

权利要求书

1.一种双沟道薄膜晶体管，包含有：

基板；

栅极，设置于所述基板上；

栅极绝缘层，覆盖于所述栅极与所述基板；

沟道层，设置于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极上方；以及

源极与漏极，所述漏极还包括两漏极电极，且所述漏极电极与所述源极形成所述双沟道。

2.如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，应用于有机发光二极体显示器中。

3.如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管应用于薄膜晶体管液晶显示器之中。

4.如权利要求3的双沟道薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管液晶显示器包含有多个像素单元。

5.如权利要求4的双沟道薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管液晶显示器在各所述像素单元内具有液晶分子。

6.如权利要求3的双沟道薄膜晶体管，其中所述源极与所述薄膜晶体管液晶显示器的数据线电性连接。

7.如权利要求3的双沟道薄膜晶体管，其中所述栅极与扫瞄线电性连接。

8.如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，其中所述漏极与像素电极电性连接。

9.如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，其中所述源极为I型结构。

10.如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，其中所述漏极为C型结构。

11.如权利要求10的双沟道薄膜晶体管，其中所述I型结构位于所述C型结构的缺口中。

12.如权利要求11的双沟道薄膜晶体管，其中各所述漏极电极均为L型结构，以构成所述C型结构的所述漏极。

13.如权利要求1的双沟道薄膜晶体管，其中所述源极为T型结构。

14.如权利要求13的双沟道薄膜晶体管，其中所述漏极系为π型结构。

15.如权利要求14的双沟道薄膜晶体管，其中各所述漏极电极均为L型结构，以构成所述π型结构的所述漏极。