[发明专利]等离子显示器及其制造方法无效
申请号: | 200610086024.9 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN101110181A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 崔伦永;朴宰范 | 申请(专利权)人: | 乐金电子(南京)等离子有限公司 |
主分类号: | G09F9/313 | 分类号: | G09F9/313;H01J17/49 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄威;张金海 |
地址: | 210046江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及等离子显示器及其制造方法,尤其涉及包括等离子显示器格栅在内的等离子显示器及其制造方法。本发明在后面玻璃基板上相同地形成蚀刻的第一格栅和第一格栅之间的放电空间突出的第二格栅,在第二格栅上部形成寻址电极,在第一格栅上部形成第三格栅,使单元放电空间涂抹的荧光体层的面积达到最大,提高亮度和效率。同时,因寻址电极和放电之间的距离较近,可以提高驱动性。本发明的具有格栅的等离子显示器,其格栅包括第一格栅和第二格栅及第三格栅,因蚀刻而成的第一格栅和第一格栅之间的放电空间突出的第二格栅形成在后面玻璃基板,所以第二格栅上部形成寻址电极,第一格栅上部形成第三格栅。 | ||
搜索关键词: | 等离子 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括格栅在内的等离子显示器,其特征在于,所述格栅包括第一格栅和第二格栅及第三格栅,在玻璃基板上形成蚀刻的第一格栅和上述第一格栅之间放电空间突出的第二格栅,在上述第二格栅上部形成寻址电极,在上述第一格栅上部形成第三格栅。
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