[发明专利]等离子显示器及其制造方法无效
申请号: | 200610086024.9 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN101110181A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 崔伦永;朴宰范 | 申请(专利权)人: | 乐金电子(南京)等离子有限公司 |
主分类号: | G09F9/313 | 分类号: | G09F9/313;H01J17/49 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄威;张金海 |
地址: | 210046江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 显示器 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种等离子显示器的结构,尤其涉及在前面基板上设有电介质层的等离子显示器。
背景技术
一般来说,等离子显示器(Plasma Display Panel:以下简称:“PDP”)是通过由He+Xe或者Ne+Xe的惰性混合气体放电时所产生的147nm的紫外线使荧光体发光,从而对包括文字或者图表在内的影像进行显示。这样的PDP不仅容易实现超薄化和大型化,还可借助于最近的技术开发,提供大幅改善的画质。
尤其对三电极表面放电型AC-PDP来说,放电时表面上聚集壁电荷,并从放电所产生的溅射保护电极,因此具有低电压驱动和使用时间较长的特点。
图1是现有技术的等离子显示器的结构的概略示意图。如图所示,PDP100是由显示影像的显示面的前板10和构成后面的后板20以一定间隔平行结合而成。
前板10包括:在一个放电单元,以相互放电,维持单元发光的一对维持电极11,该维持电极11具备由透明的ITO物质形成的透明电极11a和由金属材质形成的总线电极11b。
维持电极11被限制放电电流,并被起电极组之间绝缘作用的电介质层12覆盖,为了使放电条件变得更容易,电介质层12上面形成贴箔氧化镁(Mgo)的保护层13。
后板20是为形成多个放电空间,即放电单元的格栅21维持平行而排列。在与维持电极11交叉的部分,设置运行放电,产生真空紫外线的多个寻址电极22。
后板20的上侧面涂抹了地址放电时产生针对显示画像的可视光线的R、G、B荧光体23。
此外,因前面玻璃基板10和后面玻璃基板20的缝合工程,密封材料-玻璃料(Frit Glass)以可塑性粘合后,运行排气工程,旨在消除面板内部杂质。
为了提高等离子放电时的放电效率,结束排气工程的面板有氦(He)、氖(Ne)、氙(Xe)之类的惰性气体注入到等离子显示器内部。
具有这一结构的现有技术放电是后面玻璃基板20的寻址电极22和前面玻璃基板10的维持电极11间进行地址放电后,持续进行对选择单元的连续性的显示放电。同时,放电时,产生的真空紫外线激发荧光体,使其放出可视光,以此得到所要求的影像。
具有这样结构的现有技术等离子显示器大致通过玻璃基板制造工程、前面基板制造工程、后面基板制造工程、组装工程形成。
下面将说明上述等离子显示器制造工程中的后板制造工程。
图2是现有技术等离子显示器后板制造工程顺序的工程图。如图2所示,格栅结构是经过如下工程形成。
首先,在(a)步骤,将具有一定宽和高的寻址电极222形成在后面玻璃基板上部220;在(b)步骤,寻址电极222上部形成电介质层213b。
之后在(c)步骤,将格栅材料221′形成在电介质层213b上部;在(d)步骤,将光致抗蚀剂230涂抹在格栅材料221上部。
之后,在(e)步骤,把形成一定图案(Pattern)的遮光模232置于光致抗蚀剂230上部,照射光线,硬化光致抗蚀剂230。这样的工程就是曝光工程。
之后,通过(f)显影工程,洗涤没有硬化的光致抗蚀剂230后,(g)步骤上运行蚀刻。
然后,在(h)步骤,将消除光致抗蚀剂230,并进行烘干后,进行烧成,以此形成旨在防止邻近单元间的串扰(Crosstalk)现象的格栅221。
之后,在(i)步骤,若给格栅221之间涂抹荧光体层223,进行烧成,就可形成后面玻璃基板20。
但如上述等离子显示器制造方法,图2所示现有技术后板制造方法因荧光体的涂抹面积较小,具有亮度和效率低下,驱动特性也下降的问题。同时,因寻址电极和放电之间的距离较大,其驱动特性也下降。
发明内容
本发明是为解决上述问题而提出的,后面玻璃基板上相同地形成蚀刻的第一格栅和第一格栅之间的放电空间突出的第二格栅,第二格栅上部形成寻址电极,第一格栅上部形成第三格栅,使单元放电空间上的荧光体涂抹面积最大,提高亮度和效率。此外,因寻址电极和放电之间的距离较近,可以提高驱动特性。
为了实现上述目的,本发明如包括格栅在内的等离子显示器,其特征在于,格栅包括第一格栅和第二格栅及第三格栅,在后面玻璃基板上形成蚀刻的第一格栅和第一格栅之间的放电空间突出的第二格栅,在第二格栅上部形成寻址电极,在第一格栅上部形成第三格栅。
此外,第二格栅高度小于或等于第一格栅高度。
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