[发明专利]晶片级封装方法及其结构无效

专利信息
申请号: 200610080134.4 申请日: 2006-05-09
公开(公告)号: CN101071781A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 杨辰雄 申请(专利权)人: 探微科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L25/00;H01L23/488
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种整合式晶片封装结构,包含一芯片,至少一个被动元件,一介面层,一绝缘层,至少一连接线,一内部连接垫以及一保护层。该芯片包含一表面连接垫、一内部连接垫以及一电路元件,该被动元件形成于所述芯片的一侧,所述介面层增加所述被动元件与该芯片间结合力,该绝缘层覆盖该芯片的另一侧部分表面,所述连接线覆盖所述绝缘层部分表面以及该内部连接垫,用以与所述内部连接垫电连接,所述保护层用以提供所述芯片保护。
搜索关键词: 晶片 封装 方法 及其 结构
【主权项】:
1.一种整合式晶片封装方法,其特征在于包含下列步骤:于一晶片具有表面连接垫的一侧形成一介面层;形成一光刻胶层,该光刻胶层与所述表面连接垫相应位置的邻近区域包含有至少一开口,该开口用以定义至少一个被动元件的形状与大小;形成至少一个被动元件于所述至少一个开口上,所述介面层降低所述至少一个被动元件与所述连接垫间的应力影响,随后移除所述光刻胶层;于所述晶片的另一侧形成一屏蔽层,该屏蔽层与至少一内部金属连接垫对应位置的邻近区域包含有至少一开口;涂布电隔绝材料于所述晶片的表面并覆盖所述至少一个被动元件,以形成一结合层;以及一保护层与所述结合层结合;对所述晶片的另一侧进行一刻蚀工艺,除去未被所述屏蔽层保护的所述晶片部分以形成至少一晶片开口,所述至少一晶片开口与所述至少一内部金属连接垫连接;去除所述屏蔽层;于所述晶片的另一侧形成一绝缘层,该绝缘层并不完全覆盖所述至少一晶片开口,用以保护所述晶片不受不当电性影响;以及于所述晶片的另一侧形成一连接线布局,该连接线布局覆盖所述绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于探微科技股份有限公司,未经探微科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610080134.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top