[发明专利]晶片级封装方法及其结构

权利要求书

1.一种整合式晶圆封装方法，其特征在于包含下列步骤：

于一晶圆具有表面连接垫的一侧形成一介面层；

形成一光刻胶层，该光刻胶层与所述表面连接垫相应位置的邻近区域包含有至少一开口，该开口用以定义至少一个被动元件的形状与大小；

形成至少一个被动元件于所述至少一个开口上，所述介面层降低所述至少一个被动元件与所述表面连接垫间的应力影响，随后移除所述光刻胶层；

于所述晶圆的另一侧形成一屏蔽层，该屏蔽层与至少一内部金属连接垫对应位置的邻近区域包含有至少一开口；

涂布电隔绝材料于所述晶圆的表面并覆盖所述至少一个被动元件，以形成一结合层；以及

一保护层与所述结合层结合；

对所述晶圆的另一侧进行一刻蚀工艺，除去未被所述屏蔽层保护的所述晶圆部分以形成至少一晶圆开口，所述至少一晶圆开口与所述至少一内部金属连接垫连接；

去除所述屏蔽层；

于所述晶圆的另一侧形成一绝缘层，该绝缘层并不完全覆盖所述至少一晶圆开口，用以保护所述晶圆不受不当电性影响；以及

于所述晶圆的另一侧形成一连接线布局，该连接线布局覆盖所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述介面层形成步骤还包含：

形成一扩散阻挡层；以及

形成一成长底层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述刻蚀工艺包含下列步骤：

一各向同性刻蚀工艺，用以形成至少一扩大性晶圆开口；

一各向异性刻蚀工艺，用以形成一朝外开放晶圆开口，该朝外开放晶圆开口为一表面积大于底面积的碗状开口。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述刻蚀工艺包含下列步骤：

一各向同性刻蚀工艺，用以形成至少一扩大性晶圆开口；

一各向异性刻蚀工艺，用以形成一朝外开放晶圆开口，该朝外开放晶圆开口为一表面积大于底面积的碗状开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包含一晶圆薄化程序用以薄化所述晶圆，该程序在所述晶圆的另一侧形成屏蔽层前，先对该晶圆进行薄化，该程序经由下列方法之一实现：一研磨工艺、一化学机械刻蚀工艺、一湿式刻蚀工艺、一等离子体刻蚀工艺及其组合。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于还包含一晶圆薄化程序用以薄化所述晶圆，该程序在所述晶圆的另一侧形成屏蔽层前，先对所述晶圆进行薄化，该程序经由下列方法之一实现：一研磨工艺、一化学机械刻蚀工艺、一湿式刻蚀工艺、一等离子体刻蚀工艺及其组合。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于还包含一晶圆薄化程序用以薄化所述晶圆，该程序于所述晶圆的另一侧形成屏蔽层前，先对所述晶圆进行薄化，该程序经由下列方法之一实现：一研磨工艺、一化学机械刻蚀工艺、一湿式刻蚀工艺、一等离子体刻蚀工艺及其组合。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于还包含一晶圆薄化程序用以薄化所述晶圆，该程序在所述晶圆的另一侧形成屏蔽层前，先对所述晶圆进行薄化，该程序经由下列方法之一实现：一研磨工艺、一化学机械刻蚀工艺、一湿式刻蚀工艺、一等离子体刻蚀工艺及其组合。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述至少一个被动元件为一电感元件。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述至少一个被动元件为一电容元件。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述至少一个被动元件为一电阻元件。