[发明专利]发光晶体的植晶座结构无效
| 申请号： | 200610031510.0 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101060107A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈聪欣 | 申请（专利权）人： | 陈劲豪 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/367;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 台湾省嘉义县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光晶体的植晶座结构，其包括一模型体，该模型体选取导热不导电材料并形成整体无断开形态的导热部；模型体的顶面设置一杯座，用以提供容置安装至少一个发光芯片；并于所述模型体及杯座的表面建立导电层及至少两个的导电区域，在杯座表面上形成至少一电极分离线，以至少规划出阴、阳极两个导电区域，再以高取热固晶方法配合高散热封装结构予以固晶，其一体成形的构造，可扩大杯座的面积，而可安装较已知数量更多、功率更大的发光芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 晶体 植晶座 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光晶体的植晶座结构，其包括一模型体，其特征在于：所述模型体为一由可导热不导电材料形成的模型体，其上具有无断开组织形态的导热部，模型体的顶面设置杯座，该杯座可容置安装至少一个发光芯片，所述模型体及杯座的表面建立有导电层，且该导电层至少规划两个导电区域，而分别被定义为阴、阳极；该导电区域之间形成至少一电极分离线作为导电区域的分隔区。
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