[发明专利]发光晶体的植晶座结构无效

申请号：	200610031510.0	申请日：	2006-04-19
公开（公告）号：	CN101060107A	公开（公告）日：	2007-10-24
发明（设计）人：	陈聪欣	申请（专利权）人：	陈劲豪
主分类号：	H01L23/488	分类号：	H01L23/488;H01L23/367;H01L33/00
代理公司：	长沙正奇专利事务所有限责任公司	代理人：	何为
地址：	台湾省嘉义县中***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	发光晶体植晶座结构
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【权利要求书】：

1.一种发光晶体的植晶座结构，其包括一模型体，其特征在于：所述模型体为一由可导热不导电材料形成的模型体，其上具有无断开组织形态的导热部，模型体的顶面设置杯座，该杯座可容置安装至少一个发光芯片，所述模型体及杯座的表面建立有导电层，且该导电层至少规划两个导电区域，而分别被定义为阴、阳极；该导电区域之间形成至少一电极分离线作为导电区域的分隔区。

2.根据权利要求1所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述导电层扩散到杯座以外的模型体表面。

3.根据权利要求2所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体表面设置有沟槽组织。

4.根据权利要求1所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体表面设置有沟槽组织。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体自底部向上开设置少一个槽室。

6.根据权利要求5所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述槽室内表面设置有沟槽组织。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体具有一裙部。

8.根据权利要求7所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体自底部向上开设置少一个槽室。

9.根据权利要求8所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述槽室内表面设置有沟槽组织。

10.根据权利要求1或2或3或4所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体具有一翼部。

11.根据权利要求10所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体自底部向上开设置少一个槽室。

12.根据权利要求11所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述槽室内表面设置有沟槽组织。

13.根据权利要求1或2或3或4所述的发光晶体的植晶座结构，其特征在于：所述模型体的导热部嵌入设置至少一支接脚。