[发明专利]双镶嵌结构的形成方法无效
| 申请号： | 200610025649.4 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101055421A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一表面具有导电结构的半导体衬底，在衬底上形成内层介电层；在所述内层介电层上形成具有接触孔图形的第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上形成具有沟槽开口图形的第二光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的所述图形，直至露出所述导电结构为止；填充金属材料形成双镶嵌结构。本发明的双镶嵌结构的形成方法省去了形成抗反射层的步骤，将现有技术中两到三次刻蚀清洗工艺改进为仅经过一次刻蚀清洗便形成双镶嵌结构。本发明的双镶嵌结构的形成方法能够形成良好的双镶嵌结构，并简化了制造工艺，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一表面具有导电结构的半导体衬底，在衬底上形成内层介电层；在所述内层介电层上形成具有接触孔图形的第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上形成具有沟槽开口图形的第二光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的所述图形，直至露出所述导电结构为止；填充金属材料形成双镶嵌结构。
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