[发明专利]双镶嵌结构的形成方法

权利要求书

1、一种双镶嵌结构的形成方法，包括：

提供一表面具有导电结构的半导体衬底，在衬底上形成内层介电层；

在所述内层介电层上形成具有接触孔图形的第一光刻胶层；

在所述第一光刻胶层上形成具有沟槽开口图形的第二光刻胶层；

刻蚀所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的所述图形，直至露出所述导电结构为止；

填充金属材料形成双镶嵌结构。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述衬底表面和所述内层介电层之间形成覆盖层的步骤。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一光刻胶层为负性光刻胶，所述第二光刻胶层为正性光刻胶。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一光刻胶层为正性光刻胶，所述第二光刻胶层为负性光刻胶。

5、如权利要求3或4所述的方法，其特征在于：所述第一光刻胶层的厚度为1000-8000。

6、如权利要求3或4所述的方法，其特征在于：所述第二光刻胶层的厚度为1000-8000。

7、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述内层介电层为黑钻石(black diamond)、二氧化硅(SiO₂)或氟化硅玻璃(FSG)。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述内层介电层的厚度为2000-12000。

9、如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述覆盖层为氮化硅(Si₃N₄)或氮氧化硅(SiON)，或氮碳化硅(SiCN)厚度为200-1200。

10、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀的工艺为反应离子刻蚀(RIE)工艺。

11、一种双镶嵌结构的形成方法，包括：

提供一表面具有介质层的半导体衬底，在所述介质层中形成金属导电结构；

平坦化所述介质层和所述导电结构；

在所述介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层，在所述覆盖层上形成内层介电层；

在所述内层介电层上形成具有接触孔图形的第一光刻胶层；

在所述第一光刻胶层上形成具有沟槽开口图形的第二光刻胶层；

刻蚀所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的所述图形，直至露出所述覆盖层；

去除所述光刻胶和所述覆盖层，直至露出所述导电结构；

填充金属材料形成双镶嵌结构。

12、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第一光刻胶层为负性光刻胶或正性光刻胶。

13、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第二光刻胶层为正性光刻胶或负性光刻胶。

14、如权利要求12或13所述的方法，其特征在于：所述第一光刻胶层的厚度为1000-8000。

15、如权利要求12或13所述的方法，其特征在于：所述第二光刻胶层的厚度为1000-8000。

16、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述内层介电层为黑钻石(black diamond)、二氧化硅(SiO₂)或氟化硅玻璃(FSG)。

17、如权利要求16所述的方法，其特征在于：所述内层介电层的厚度为2000-12000。

18、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述覆盖层为氮化硅(Si₃N₄)或氮氧化硅(SiON)，或氮碳化硅(SiCN)厚度为200-1200。

19、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述刻蚀的工艺为反应离子刻蚀(RIE)工艺。

20、如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述所述填充的金属为铜(Cu)、氮化钽(TaN)或钽(Ta)。