[发明专利]制作无位错应变晶体薄膜的方法

摘要

一种形成无位错应变硅薄膜的方法，包括提供两个弯曲的硅衬底的步骤。一个衬底通过在后表面上存在二氧化硅而弯曲。另一衬底通过存在氮化硅层而弯曲。对其中一个衬底进行氢注入，并且所述两个衬底在退火处理中彼此结合。将这两个衬底分离，从而将应变硅层留在一个衬底的前侧。接着，去除后侧面上的二氧化硅层或氮化硅层以使所述衬底回复到基本上为平面的状态。可以采用所述方法形成无位错应变硅薄膜。所述薄膜可以处于拉伸或压缩应变下。

主权项

1.一种形成薄膜的方法，所述方法包括：提供具有第一侧面和第二侧面的第一衬底；在所述第一衬底的第二侧面上形成二氧化硅包含层，所述二氧化硅包含层使得所述第一衬底变形为弯曲的形状；提供具有第一侧面和第二侧面的第二衬底；在所述第二衬底的第二侧面上形成氮化硅包含层，所述氮化硅包含层使得所述第二衬底变形为弯曲的形状；对所述第二衬底的第一侧面进行氢离子注入；在退火处理中，将所述第一衬底的第一侧面结合至所述第二衬底的第一侧面；以及将所述第二衬底与所述第一衬底分离，其中应变硅层留在所述第一衬底的所述第一侧面上。