[发明专利]制作无位错应变晶体薄膜的方法

权利要求书

1.一种形成薄膜的方法，所述方法包括：

提供具有第一侧面和第二侧面的第一衬底；

在所述第一衬底的第二侧面上形成二氧化硅包含层，所述二氧化硅包含层使得所述第一衬底变形为弯曲的形状；

提供具有第一侧面和第二侧面的第二衬底；

在所述第二衬底的第二侧面上形成氮化硅包含层，所述氮化硅包含层使得所述第二衬底变形为弯曲的形状；

对所述第二衬底的第一侧面进行氢离子注入；

在退火处理中，将所述第一衬底的第一侧面结合至所述第二衬底的第一侧面；以及

将所述第二衬底与所述第一衬底分离，其中应变硅层留在所述第一衬底的所述第一侧面上。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述第一衬底的第二侧面上的所述二氧化硅包含层的步骤，其中，所述二氧化硅包含层的去除使得所述第一衬底回复到基本上为平面的状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一衬底的第二侧面上的所述二氧化硅包含层进行图案化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二衬底具有比所述第一衬底更薄的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二衬底的曲率大于所述第一衬底的曲率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在结合之前，所述第一衬底的第一侧面以及所述第二衬底的第一侧面均包括二氧化硅包含层。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括对所述第一衬底进行二次退火处理的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括对外露的应变硅层进行化学机械抛光处理的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述第二衬底的第二侧面上的所述氮化硅包含层的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括对所述第二衬底的第二侧面进行化学机械抛光处理的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二衬底的第一侧面包括SiGe蚀刻停止层以及位于所述SiGe蚀刻层顶部上的外延生长硅层。

12.一种形成薄膜的方法，所述方法包括：

提供具有第一侧面和第二侧面的第一衬底；

在所述第一衬底的第二侧面上形成氮化硅包含层，所述氮化硅包含层使得所述第一衬底变形为弯曲的形状；

提供具有第一侧面和第二侧面的第二衬底；

在所述第二衬底的第二侧面上形成二氧化硅包含层，所述二氧化硅包含层使得所述第二衬底变形为弯曲的形状；

对所述第二衬底的第一侧面进行氢离子注入；

在退火处理中，将所述第一衬底的第一侧面结合至所述第二衬底的第一侧面；以及

将所述第二衬底与所述第一衬底分离，其中应变硅层留在所述第一衬底的所述第一侧面上。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括去除所述第一衬底的第二侧面上的所述氮化硅包含层的步骤，其中，所述氮化硅包含层的去除使得所述第一衬底回复到基本上为平面的状态。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述第一衬底的第二侧面上的所述氮化硅包含层进行图案化。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二衬底具有比所述第一衬底更薄的厚度。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一衬底的曲率大于所述第二衬底的曲率。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，在结合之前，所述第一衬底的第一侧面以及所述第二衬底的第一侧面均包括二氧化硅包含层。

18.根据权利要求12所述的方法，进一步包括对所述第一衬底进行二次退火处理的步骤。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括对外露的应变硅层进行化学机械抛光处理的步骤。

20.根据权利要求12所述的方法，进一步包括去除所述第二衬底的第二侧面上的所述二氧化硅包含层的步骤。