[发明专利]晶片结合的MOS去耦电容器

摘要

本发明公开了一种形成可用作去耦电容器的MOS电容器(100)的技术。MOS电容器与其将服务的特定电路装置(170)分别形成。因而，电容器和它的制造工艺可在效率等方面被最优化。该电容器可用导电接触件制造，所述导电接触件允许通过装置(170)的导电垫将电容器熔合到装置(170)。因而，电容器(100)与装置(170)可被封装在一起，并且因为电容器不是从与装置(170)相同的衬底形成的，从而可节省宝贵的半导体区。电容器进一步包括深接触件(150、152)，其上焊垫(180、182)可被形成以允许电容器和装置(170)电连接到外界。

主权项

1.一种形成MOS去耦电容器的方法，包括：图案化形成于电容器介电材料层之上的电容器上电极材料层；图案化形成于半导体衬底之上的所述电容器介电材料层；在所述衬底以及图案化的电容器上电极层和电容器介电材料层之上形成介电材料层；在所述介电材料层内形成通孔，所述通孔下至所述图案化的电容器上电极材料层并下至所述衬底，包括形成深入所述衬底的至少一个深接触通孔；使用导电材料填充所述通孔；在所述介电材料层和填充的通孔之上形成第一金属化层；图案化所述第一金属化层以在所述填充的通孔之上形成导电接触垫；将所述电容器与集成电路装置对齐以使所述电容器的所述接触垫与所述集成电路装置的接触垫对齐；执行退火以熔合所述电容器的所述接触垫和所述集成电路装置的所述接触垫；去除一些所述衬底以暴露所述至少一个深接触通孔；在所述衬底和所述至少一个深接触通孔之上形成第二金属化层；以及图案化所述第二金属化层以在所述至少一个深接触通孔之上形成各个的焊垫。