[发明专利]晶片结合的MOS去耦电容器有效
| 申请号： | 200580047930.1 | 申请日： | 2005-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101116174A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | R·P·劳斯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 结合 mos 电容器 | ||
1.一种形成MOS去耦电容器的方法，包括：
图案化形成于电容器介电材料层之上的电容器上电极材料层；
图案化形成于半导体衬底之上的所述电容器介电材料层；
在所述衬底以及图案化的电容器上电极层和电容器介电材料层之上形成介电材料层；
在所述介电材料层内形成通孔，所述通孔下至所述图案化的电容器上电极材料层并下至所述衬底，包括形成深入所述衬底的至少一个深接触通孔；
使用导电材料填充所述通孔；
在所述介电材料层和填充的通孔之上形成第一金属化层；
图案化所述第一金属化层以在所述填充的通孔之上形成导电接触垫；
将所述电容器与集成电路装置对齐以使所述电容器的所述接触垫与所述集成电路装置的接触垫对齐；
执行退火以熔合所述电容器的所述接触垫和所述集成电路装置的所述接触垫；
去除一些所述衬底以暴露所述至少一个深接触通孔；
在所述衬底和所述至少一个深接触通孔之上形成第二金属化层；以及
图案化所述第二金属化层以在所述至少一个深接触通孔之上形成各个的焊垫。
2.根据权利要求1所述的方法，其中去除一些所述衬底包括对所述衬底进行背面研磨以暴露所述至少一个深接触通孔。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底是SOI，其包括覆盖绝缘体材料层的硅材料层，所述绝缘体材料层覆盖体硅衬底，其中所述至少一个深接触通孔穿过所述硅材料层并进入所述绝缘体材料层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底是SOI，其包括覆盖绝缘体材料层的硅材料层，所述绝缘体材料层覆盖体硅衬底，其中所述至少一个深接触通孔穿过所述硅材料层并进入所述绝缘体材料层，所述方法进一步包括在背面削磨掉所述体硅衬底之后执行湿式蚀刻以去除所述绝缘体材料层。
5.根据权利要求1-4中任意一个所述的方法，进一步包括：
在形成所述介电材料层之前，有选择地对接近所述图案化的电容器上电极和电容器介电层的所述衬底区域进行掺杂。
6.根据权利要求5所述的方法，其中至少一个所述通孔被向下形成至所述衬底的掺杂区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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