[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200580046970.4 | 申请日： | 2005-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101103456A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 纐纈洋章;保坂真弥 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包含半导体衬底(200)、设置于半导体衬底上的ONO(氧化物/氮化物/氧化物)膜(210、212、216)、设置在ONO膜上的控制栅极(280)、第一低电阻层(250)、以及第一低电阻层接触且朝电流流动方向连续形成的第二低电阻层(252)，并且，第二低电阻层具有低于第一低电阻层的薄层电阻。以此架构，能提供一种可防止位线的高电阻化，并将存储器单元予以小型化且外围电路的制造制程容易的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；ONO(氧化物/氮化物/氧化物)膜，形成于所述半导体衬底上；控制栅极，设置于所述ONO膜上；以及位线，具有形成于所述半导体衬底内的第一低电阻层以及与所述第一低电阻层连接并于电流流动的方向连续形成的第二低电阻层；所述第二低电阻层具有比所述第一低电阻层低的薄层电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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