[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体衬底；

ONO(氧化物/氮化物/氧化物)膜，形成于所述半导体衬底上；

控制栅极，设置于所述ONO膜上；以及

位线，具有形成于所述半导体衬底内的第一低电阻层以及与所述第一低电阻层连接并于电流流动的方向连续形成的第二低电阻层；

所述第二低电阻层具有比所述第一低电阻层低的薄层电阻。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一低电阻层是杂质扩散层。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第二低电阻层具有硅化金属膜层。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二低电阻层具有经外延生长的硅层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，所述半导体装置还具有连接至所述控制栅极的字线，且所述控制栅极及所述字线是通过单一多晶硅层而一体地形成。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，所述位线及所述控制栅极仅通过所述ONO膜的上侧氧化物膜层来予以绝缘。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二低电阻层的宽度比所述第一低电阻层的宽度窄。

8.一种半导体装置的制造方法，具备下列步骤：

在半导体衬底上形成ONO(氧化物/氮化物/氧化物)膜的步骤；

在所述ONO膜上形成具有经选择性地去除位线形成区域的开口部的绝缘膜掩模层的步骤；

将所述绝缘膜掩模层作为掩模而选择性地在所述位线形成区域的硅衬底中离子注入杂质以形成第一低电阻层的步骤；

将所述位线形成区域的所述ONO膜予以蚀刻的步骤；以及

形成与所述位线形成区域的第一低电阻层接触且于电流流动的方向连续形成的第二低电阻层的步骤，且该第二低电阻层具有低于所述第一低电阻层的薄层电阻。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述绝缘膜掩模层的步骤具有在所述开口部的侧面形成间隔物，藉此缩小所述开口部的开口尺寸的步骤。

10.如权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其中，所述绝缘膜掩模层为氮化硅膜层。

11.如权利要求8至10中任一项所述的半导体装置的制造方法，还具备下列步骤：

在形成所述第二低电阻层的步骤后，去除所述ONO膜的上侧氧化物膜的步骤；以及

形成氧化硅膜层从而覆盖ONO膜的氮化物膜及所述开口部下的第二低电阻层的步骤。

12.如权利要求8至11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第一低电阻层的步骤包括在选择性地去除在所述位线形成区域的所述ONO膜的上侧氧化物膜以及其下的氮化物膜后，在所述半导体衬底中离子注入杂质的步骤。

13.如权利要求8至12中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第二低电阻层的步骤包括形成硅化金属膜层的步骤。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，还具备下列步骤：

在所述硅化金属膜层的形成步骤后，在所述硅化金属膜层上选择性地形成树脂的步骤；以及

去除所述绝缘膜掩模层的步骤。

15.如权利要求8至14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述第二低电阻层的步骤包括外延生长低电阻硅层的步骤。