[发明专利]在宽度方向中具有应力修正和电容降低特征的晶体管结构及其方法有效
| 申请号： | 200580024276.2 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101432884A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈建;迈克尔·A·门迪奇诺;万司·H·亚当斯;叶祖飞;文卡塔·R·科拉甘塔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L31/113 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 晶体管(50)包括位于有源区(52)中的源区(72)和漏区(74)。栅极(54)位于有源区的沟道区域之上，其中沟道区域分开源区和漏区。晶体管进一步包括在栅极之下并从源区到漏区延伸的至少一个应力修正器和电容降低特征(58，60)，用于降低与栅极、源区和漏区关联的电容。该至少一个应力修正器和电容降低特征包括介质并且包括至少部分通过有源区限定的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 方向 具有 应力 修正 电容 降低 特征 晶体管 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种晶体管，包括：在有源区域中定位的源区；在有源区域中定位的漏区；有源区域的沟道区域上的栅极，该沟道区域分开源区和漏区；和在栅极之下从源区到漏区延伸的至少一个应力修正器和电容降低特征，用来降低与栅极、源区和漏区相关联的电容，该至少一个应力修正器和电容降低特征包括介质并具有至少部分通过有源区域限定的形状。
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