[发明专利]在宽度方向中具有应力修正和电容降低特征的晶体管结构及其方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

在有源区域中定位的源区；

在有源区域中定位的漏区；

有源区域的沟道区域上的栅极，该沟道区域分开源区和漏区；和

设置在有源区域内、在栅极之下以及从源区到漏区延伸的至少一 个应力修正器和电容降低特征，用来降低与栅极、源区和漏区相关联 的电容，其中该至少一个应力修正器和电容降低特征包括介质，该介 质具有设置在有源区域的一部分内并且至少部分通过有源区域的一部 分限定的形状。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中该至少一个应力修正器和 电容降低特征进一步包括在接近栅极的有源区域的至少一侧周围定位 的刻痕，其中刻痕定位于有源区域两个相对侧上并且对于栅极对称。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中该至少一个应力修正器和 电容降低特征在沟道区域的宽度方向上修正应力。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中沟道区域的宽度方向是 <100>晶向，其中介质是在有源区域上施加压缩应力的介质，其中在有 源区域上施加压缩应力的介质是氧化物。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中沟道区域的宽度方向是 <110>晶向，其中介质是在有源区域上施加拉伸应力的介质，其中在有 源区域上施加拉伸应力的介质是氮化硅。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中至少一个应力修正器和电 容降低特征的总数依赖于有源区域的总宽度，其中，至少一个应力修 正器和电容降低特征的总数进一步依赖于有源区域的子宽度，其中有 源区域的子宽度通过计算性能量度来确定。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中有源区域进一步包括至少 两个应力修正衬垫，第一衬垫环绕有源区域的外围的至少一部分并且 第二衬垫环绕至少一个应力修正器和电容降低特征的表面的至少一部 分，其中第二衬垫的横截宽度比第一衬垫厚，用于施加比第一衬垫大 的应力，其中第一衬垫和第二衬垫进一步包括氧化物。

8.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括至少两个预定的晶 体管构造块，至少两个预定的晶体管构造块的每一个具有子宽度和侧 周界，其中当至少两个预定的晶体管构造块中的任何两个物理接合时， 它们的侧周界形成至少一个应力修正器和电容降低特征。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中有源区域进一步包括至少 两个应力修正衬垫，第一衬垫环绕有源区域的外围的至少一部分并且 第二衬垫环绕至少一个应力修正器和电容降低特征的表面的至少一部 分。

10.根据权利要求8所述的晶体管，其中沟道区域的宽度方向是 <100>晶向，其中介质是在有源区域上施加压缩应力的介质，其中在有 源区域上施加压缩应力的介质是氧化物。

11.根据权利要求8所述的晶体管，其中沟道区域的宽度方向是 <110>晶向，其中介质是在有源区域上施加拉伸应力的介质，其中在有 源区域上施加拉伸应力的介质是氮化硅。

12.根据权利要求8所述的晶体管，其中两个预定的晶体管构造 块中的至少一个的侧周界进一步包括部分确定子宽度的刻痕。

13.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括多个晶体管，多 个晶体管的每一个具有如权利要求1所述的晶体管的结构，在预定导 电类型的至少多数晶体管中实现权利要求1所述的该晶体管结构，用 来在集成电路管芯中完成非存储器的功能。

14.一种形成晶体管的方法，包括：

在有源区域中形成源区；

在有源区域中形成漏区；

在有源区域的沟道区域上形成栅极，该沟道区域分开源区和漏区； 和

在栅极之下形成在源区与漏区之间延伸的以及设置在有源区域内 的至少一个应力修正器和电容降低特征，用来降低与栅极、源区和漏 区相关联的电容，其中该至少一个应力修正器和电容降低特征包括介 质并至少部分地由有源区域的一部分围绕和限定。