[发明专利]用于高迁移率平面和多栅极MOSFET的混合衬底技术无效
申请号: | 200580015351.9 | 申请日: | 2005-06-20 |
公开(公告)号: | CN101310386A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | B·B·多里斯;M·艾昂;E·J·诺瓦克;杨敏 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种混合衬底,其具有高迁移率表面以用于平面和/或多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。混合衬底具有优选用于n-型器件的第一表面部分,和优选用于p-型器件的第二表面部分。由于混合衬底的每个半导体层中的适当表面和晶片平面取向,器件的所有栅极都取向在相同方向,且所有沟道都位于高迁移率表面上。本发明还提供制造混合衬底的方法以及在其上集成至少一个平面或多栅极MOSFET的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 迁移率 平面 栅极 mosfet 混合 衬底 技术 | ||
【主权项】:
1.一种混合衬底,其在其表面上具有高迁移率结晶取向,所述混合衬底包括:包括第二半导体层和再生长半导体层的表面,其中所述第二半导体层具有第二结晶取向,而所述再生长半导体层具有不同于第二结晶取向的第一结晶取向;衬层或者隔层,其隔离至少所述第二半导体层和所述再生长半导体层;绝缘层,其位于所述第二半导体层的下面;以及位于所述绝缘层和所述再生长半导体层的下面的第一半导体层,其中所述第一半导体层与再生长半导体层接触、且具有与再生长半导体层相同的结晶取向,而所述第一半导体层和所述第二半导体层每个都包括相互对准的晶片平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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