[发明专利]用于高迁移率平面和多栅极MOSFET的混合衬底技术

权利要求书

1.一种混合衬底，其在其表面上具有高迁移率结晶取向，所述混合衬 底包括：

所述表面，其包括第二半导体层和再生长半导体层，其中所述第二半 导体层具有第二结晶取向，而所述再生长半导体层具有不同于第二结晶取 向的第一结晶取向；

衬层或者隔层，其隔离至少所述第二半导体层和所述再生长半导体层；

绝缘层，其位于所述第二半导体层的下面；以及

位于所述绝缘层和所述再生长半导体层的下面的第一半导体层，其中 所述第一半导体层与再生长半导体层接触、且具有与再生长半导体层相同 的结晶取向，而所述第一半导体层和所述第二半导体层每个都包括相互对 准的晶片平面。

2.根据权利要求1的混合衬底，其中所述第一半导体层和所述第二半 导体材料包括Si、SiC、SiGe、SiGeC、Ge、Ge合金、GaAs、InAs、InP、 绝缘体上硅(SOI)层或者其它III/V和II/VI化合物半导体。

3.根据权利要求2的混合衬底，其中所述第一半导体层和所述第二半 导体层包括Si。

4.根据权利要求1的混合衬底，其中所述第一半导体层包括Si，且所 述第一结晶取向为(110)，所述晶片平面在<110>方向，并且所述第二半 导体层包括Si，且所述第二结晶取向为(100)，所述晶片平面在<100>方 向。

5.根据权利要求1的混合衬底，其中所述第一半导体层包括Si，且所 述第一结晶取向为(100)，所述晶片平面在<100>方向，并且所述第二半 导体层包括Si，且所述第二结晶取向为(110)，所述晶片平面在<110>方 向。

6.根据权利要求1的混合衬底，其中所述再生长半导体层包括含Si 半导体。

7.根据权利要求6的混合衬底，其中所述含Si半导体包括Si、应变 Si、SiC、SiGeC或者其组合。

8.根据权利要求1的混合衬底，其中所述再生长半导体层包括Si，且 结晶取向为(100)。

9.根据权利要求1的混合衬底，其中所述再生长半导体层包括Si，且 结晶取向为(110)。

10.根据权利要求1的混合衬底，其中所述衬层或者隔层包括氧化物、 氮化物、氧氮化物或者其任意组合。

11.根据权利要求1的混合衬底，其中所述绝缘层包括氧化物、氮化 物、氧氮化物或者其组合。

12.根据权利要求1的混合衬底，还包括在所述第二半导体层或者所 述再生长半导体层中至少一个中的埋层氧化物区域。

13.根据权利要求1的混合衬底，其中所述表面包括至少两个器件区 域。

14.根据权利要求1的混合衬底，其中所述表面包括(100)结晶取向 和(110)结晶取向。

15.根据权利要求14的混合衬底，其中所述(100)结晶取向的所述 表面包括n-型平面或多栅极MOSFET器件，以及所述(110)结晶取向的 所述表面包括p-型平面或多栅极MOSFET器件。