[发明专利]提高上层CVD低K电介质及其覆盖层间粘附力的结构有效
| 申请号： | 200510065786.6 | 申请日： | 2005-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1691323A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 劳伦斯·A·克莱温格;史蒂芬尼·R·奇拉斯;蒂莫西·多尔顿;詹姆斯·J·德马雷斯特;德瑞恩·N·邓恩;切斯特·T·德佐布克瓦斯克;菲利普·L·弗拉特兹;迈克尔·W·莱恩;詹姆斯·R·劳埃德;达里尔·D·拉斯坦诺;托马斯·M·肖;王允愈;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/314;H01L21/316;C23C16/30;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连结构，在该互连结构中，在上层低k电介质材料和下伏扩散覆盖电介质层之间的粘附力通过在这两层电介质层之间结合粘附过渡层得以提高，上层低k电介质材料(介电常数低于4.0)比如是包括Si、C、O和H元素的材料，扩散覆盖电介质层比如是包括C、Si、N和H元素的材料。在上层低k电介质和扩散阻挡覆盖电介质之间存在粘附过渡层能够降低该互连结构在封装处理期间分层的几率。本发明所提供的粘附过渡层包括下部含SiOx或SiON区域和上部C递变区域。本发明还提供了形成这样的结构的方法，具体而言就是形成粘附过渡层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 上层 cvd 电介质 及其 覆盖层 粘附 结构 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，所述互连结构至少包括介电常数低于4.0的上低介电常数电介质材料和下伏扩散阻挡覆盖电介质，其中在所述上低介电常数电介质材料和下伏扩散阻挡覆盖电介质之间设置有粘附过渡层，所述粘附过渡层包括下部含SiOx或SiON区域和上部C递变区域。
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