[发明专利]提高上层CVD低K电介质及其覆盖层间粘附力的结构有效
| 申请号： | 200510065786.6 | 申请日： | 2005-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1691323A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 劳伦斯·A·克莱温格;史蒂芬尼·R·奇拉斯;蒂莫西·多尔顿;詹姆斯·J·德马雷斯特;德瑞恩·N·邓恩;切斯特·T·德佐布克瓦斯克;菲利普·L·弗拉特兹;迈克尔·W·莱恩;詹姆斯·R·劳埃德;达里尔·D·拉斯坦诺;托马斯·M·肖;王允愈;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/314;H01L21/316;C23C16/30;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 上层 cvd 电介质 及其 覆盖层 粘附 结构 | ||
【说明书】：
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