[发明专利]金刚石n型半导体及其制造方法、半导体元件及电子发射元件无效
| 申请号： | 200480033959.X | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1883052A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 难波晓彦;西林良树;今井贵浩 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/66;H01J1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 半导体 及其 制造 方法 元件 电子 发射 | ||
【主权项】：
1、一种金刚石n型半导体，其特征在于：具备具有n型导电型的第1金刚石半导体，所述第1金刚石半导体，至少在0℃～300℃的温度区域内的100℃以上的温度范围中，传导体的电子浓度的温度依存性显示负的相互关系。
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