[发明专利]金刚石n型半导体及其制造方法、半导体元件及电子发射元件无效
| 申请号: | 200480033959.X | 申请日: | 2004-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN1883052A | 公开(公告)日: | 2006-12-20 |
| 发明(设计)人: | 难波晓彦;西林良树;今井贵浩 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L29/16 | 分类号: | H01L29/16;H01L29/66;H01J1/30 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金刚石 半导体 及其 制造 方法 元件 电子 发射 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200480033959.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含卵磷脂的粒状组合物及其制备方法
- 下一篇:光收发元件用的子座
- 同类专利
- 专利分类





