[发明专利]薄膜磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 200410062469.4 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN100481209C | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 中山正俊 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜磁头，其至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜具有式(I)SiCxHyOzNw表示的组成，(式(I)中X、Y、Z、及W表示原子比，且X＝3～26、Y＝0.5～13、Z＝0.5～6、W＝0～6)，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。并提供通过施加负偏电压来成膜该保护膜，形成对薄膜磁头的构成部件的粘结力强、耐久性优异的薄膜磁头及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜磁头的制造方法，其特征在于：通过使用等离子体CVD法，对薄膜磁头在0.001～0.008托的工作压力下施加大于-400V且小于等于-1000V的负偏电压，至少在与记录介质对向的表面上气相成膜一种保护膜，该保护膜具有式(I)表示的组成，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上，SiCx Hy Oz Nw 式(I)上述式(I)中X、Y、Z、及W表示原子比，且X＝3～26、Y＝0.5～13、Z＝0.5～6、W＝0～6。
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