[发明专利]薄膜磁头及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及MR(磁阻Magnetoresistive)磁头、GMR(巨磁阻GiantMagnetoresistive)磁头、TMR(隧道结式磁阻Tunneling JunctionMagnetoresistive)型的磁头、CPP(电流垂直平面Current Perpendicularin plane)型的磁头等各种薄膜磁头及其制造方法。

背景技术

近年来，磁性记录的高密度化不断发展。与此同时，作为硬盘用磁头，正在盛行用软磁性薄膜作为磁极的薄膜磁头的开发。

薄膜磁头中有MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。

但是，薄膜磁头通常在记录介质上受空气的支撑作用而上浮，所以多采用CSS(接触式启停机Contact Start Stop)方式，在高速旋转的磁盘上通常保持1～10nm左右的微少上浮量。因此，可经受住磁头碰撞和CSS磨耗的表面强度、耐磨性成为问题。已知为提高耐磨性进行了种种试验，如特开平4-276367号公报中记载的，在磁头滑动触头的轨道上设置保护覆膜的方法。但是，所述保护覆膜是由厚度250埃(25nm)或其以下的硅构成的，强度不够充分。另外，在构成薄膜磁头的氧化铝和碳化钛的烧结体基板、氧化铝绝缘层、坡莫合金、铁硅铝磁性合金、氮化铁等软磁性体薄膜等构造体上设置这种硅覆膜时，由于薄膜磁头与保护覆膜的密合性或粘结性不够充分，因此，存在着发生剥离，或无法充分获得耐磨性等问题。

作为用于改善耐磨性的保护层，已知有TiN、TiCN、金刚石状碳薄膜(DLC)等。但是，即使将这些用于薄膜磁头，在耐久性方面也是不充分的。

另外，在例如日本专利第2571957号公报中记载了在氧化物表面上设置无定形硅、无定形碳化硅等缓冲层，在其上面进一步设置碳或以碳为主要成分的覆膜。但是，即使将这种设有缓冲层的保护层用于薄膜磁头，在耐久性方面也不充分。并且，除了设置保护覆膜的工序外还需要缓冲层制膜工序，增加了制造时间和制造成本，同时膜的厚度也增加了，因此，在日益增加对于低成本化、批量生产性、增加记录密度的要求的硬盘用磁头领域中是极其不利的。

鉴于这种情况，本发明申请人曾经提出了通过规定组成的Si-C系气相成膜制成的保护膜(特开平10-289419号、特开平10-275308号)。

如上所述，硬盘的记录容量依赖于磁头性能，今后要求120GB或其以上的容量，因此，要求磁头保护膜的厚度在3nm(30)或其以下。

但是，上述公报中的保护膜，与当时的技术水平吻合，实质上是对应于7nm(70)程度的保护膜，因此如果直接采用则耐久性不够充分。特别是需要处理装置内的结露等时，对水的耐腐蚀性等方面也成为问题。

发明内容

本发明的目的在于提供对薄膜磁头构成部件的粘结力强、耐久性优异的薄膜磁头及其制造方法。

另外，本发明的其他目的在于提供可进一步薄膜化、制造工序少、并且廉价的薄膜磁头及其制造方法。

这种目的可由下述(1)～(10)的任一构成实现。

(1)一种薄膜磁头，其特征在于：至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜具有式(I)表示的组成，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上，

SiC_x H_y O_z N_w        式(I)

上述式(I)中X、Y、Z、及W表示原子比，X＝3～26、Y＝0.5～13、Z＝0.5～6、W＝0～6。

(2)如上述(1)所述的薄膜磁头，其特征在于：所述对向表面上存在氧化物基材、氧化物绝缘层以及软磁性金属层的端面。

(3)如上述(1)或(2)所述的薄膜磁头，其特征在于：是MR磁头、GMR磁头、TMR或者CPP型的磁头。

(4)一种薄膜磁头的制造方法，其特征在于：通过对薄膜磁头施加负偏电压，至少在与记录介质对向的表面上气相成膜一种保护膜，该保护膜具有式(I)表示的组成，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上，

SiC_x H_y O_z N_w          式(I)

上述式(I)中X、Y、Z、及W表示原子比，且X＝3～26、Y＝0.5～13、Z＝0.5～6、W＝0～6。

(5)如上述(4)所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于：所述偏电压是通过施加的DC电源或施加的高频电压产生的自偏压施加的。