[发明专利]薄膜磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 200410062469.4 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN100481209C | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 中山正俊 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜磁头的制造方法，其特征在于：通过使用等离子体CVD法，对薄膜磁头在0.001～0.008托的工作压力下施加大于-400V且小于等于-1000V的负偏电压，至少在与记录介质对向的表面上气相成膜一种保护膜，该保护膜具有式(I)表示的组成，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上，
SiCx Hy Oz Nw 式(I)
上述式(I)中X、Y、Z、及W表示原子比，且X＝3～26、Y＝0.5～13、Z＝0.5～6、W＝0～6。
2.如权利要求1所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于：所述负偏电压大于或等于-800V。
3.如权利要求1或2所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于：所述负偏电压是通过施加的DC电源或施加的高频电压产生的自偏压施加的。
4.如权利要求1或2所述的薄膜磁头的制造方法，其特征在于：是MR磁头、GMR磁头、TMR型或者CPP型的磁头。
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