[其他]高跨导高厄利(Early)电压模似(MOS)晶体管在审
| 申请号： | 101986000000192 | 申请日： | 1986-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1005884B | 公开（公告）日： | 1989-11-22 |
| 发明（设计）人： | 马龙;钱其璈 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 南开大学专利事务所 | 代理人： | 耿锡锟 |
| 地址： | 天津市南开区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 高跨导高Ｅａｒｌｙ电压的Ｍｏｓ晶体管－－ＨＧＥＴ，属于一族新型半导体集成器件。它能在常规的ＭＯＳ工艺下制造出跨导为２０～４０ｍＶ，Ｅａｒｌｙ电压为４０～５０Ｖ的器件。这种器件放大器的电压增益可达５７ｄｂ，它的等效电路是由两个ＭＯＳ管和一个双极型晶体管复合构成，它的工艺简单，又能比普通的ＭＯＳ器件的芯片面积小β倍，用于模拟电路中即能获得高增益，又因互补作用，能灵活满足不同电路的设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高跨导高厄利 early 电压 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
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