[其他]高跨导高厄利(Early)电压模似(MOS)晶体管

权利要求书

1、一种由一个MOS晶体管和一个双极型晶体管（图1、A）或者由两个MOS晶体管（图1、B）构成的半导体集成器件，其特征在于增加了一个MOS晶体管或一个双极型晶体管，一共由三支管子（二只MOS晶体管，一只双极型晶体管）复合构成甲乙两类（因为晶体管有两种类型，一类有两种等效复合方式）一共四种复合方式。

甲类复合方式：MOS晶体管M₁的源极和三级管Q的基极连接，MOS晶体管M₂的栅极和晶体管Q的发射极连接，M₁的漏极、Q的集电极和M₂的源极连接，M₁、M₂是NMOS晶体管时，Q是NPN型晶体管，这是一种方式（图2、A），M₁M₂是PMOS晶体管时，Q是PNP型晶体管，构成另一种复合方式（图2、B）。

乙类复合方式：M₁的源极、M₂的栅极和Q的集电极连接，M₁的漏极和Q的基极连接，M₂的源级和Q的发射极连接，当M₁、M₂是NMOS时，Q是PNP管构成一种复合方式（图3、A），当M₁、M₂是PMOS时，Q是NPN管，这是另一种复合方式（图3、B）。

2、按照权利要求1所说的甲类复合方式，当M₁、M₂是NMOS管，Q是NPN管时的版图的结构特征是在N型衬底上制作P₁阱和P₂阱，在P₁阱内作N₁⁺和N₂⁺两个区，由N₁⁺区引出S极，由N₂⁺的一侧到P阱与P₂阱之间的N₂⁺的一侧上面制作G₁，P₁阱和N₂区在K处短接，作N₃⁺位于P₁阱和P₂阱之间且不留间隙，在P₂阱内作N₄⁺区，在N₄⁺区与N₈⁺区之间的P₂阱上作G₂并与S相连结，P₂阱与N型衬底在F处短接。

3、按照权利要求1所说的甲类复合方式，当M₁、M₂是PMOS时，Q是PNP管时的版图结构特征是，在P型衬底上，制作N₁阱和N₂阱，在N₁阱内作P₁⁺和P₂⁺两个区，由P₁⁺区引出S极，由P₂⁺的一侧到N₁阱与N₂阱之间的P₃⁺的一侧上面制作G₁，N₁阱和P₂⁺区在K处短接，作P⁺⁸位于N₁阱和N₂阱之间且不留间隙，在N₂阱内作P₄⁺区，在P₄⁺区与P₂⁺区之间的N₂阱上作G₂并与S相连接，N₂阱与P型衬底在F处短接。

4、根据权利要求1中的甲类和乙类复合形式所说，其特征是M₂是耗尽型MOS晶体管。