[发明专利]用粒子束测量关键尺寸的方法和装置无效

专利信息
申请号: 03816419.1 申请日: 2003-07-11
公开(公告)号: CN1668915A 公开(公告)日: 2005-09-14
发明(设计)人: B·森德尔;O·德罗尔;A·塔姆;O·米那德瓦;R·克里斯 申请(专利权)人: 应用材料以色列公司;应用材料股份有限公司
主分类号: G01N23/225 分类号: G01N23/225;G06T11/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 李家麟
地址: 以色列瑞*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要: 提供一种用于判定一具有一次微米截面之结构元件之截面特征的方法及系统,该截面是由一位于一第一及一第二横切段间之中间段所界定出。该方法包括下列步骤:(a)回应一倾斜一或多个对应倾斜角(例如照射至少该上方段及一第一横断面)之电子束对该结构元件进行之一或多次扫描,来判定一第一横切段截面特征;(b)回应该第一参数值决定是否进行(i)回应该第一横切截面特征判定一第二横切段截面特征,或(ii)回应以一倾斜一或多个对应倾斜角(例如照射至少该上方段及该第二横断面)之电子束对该结构元件进行之一或多次扫描,来判定该第二横切段截面特征;以及(c)回应该选择结果,判定该第二横切段截面特征。
搜索关键词: 粒子束 测量 关键 尺寸 方法 装置
【主权项】:
1.一种用于判定一具有一次微米截面的结构元件之一截面特征的方法,该截面是由一位于第一及第二横切段间之中间段所界定出,该方法至少包含下列步骤:回应以一倾斜至少一对应倾斜角(如照射至少该上方段及一第一横断面)的电子束对该结构元件进行的至少一次扫描,来判定一第一横切段截面特征;回应一第一参数以选择是否(i)回应该第一横切截面特征判定一第二横切截面特征、或(ii)回应以一倾斜至少一对应倾斜角(例如照射至少该上方段及该第二横断面)的电子束对该结构元件进行的至少一次扫描,来判定该第二横切截面特征;以及回应该选择结果判定该第二横切截面特征。
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