[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03105196.0 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1527403A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 涂高维;简凤佐;贡中元 | 申请（专利权）人： | 华瑞股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 台湾省台北市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，该装置包含：一汲极，由硅基板形成；一磊晶层，形成于上述硅基板之上；一阱层，形成于上述磊晶层之上；一源极接触区，形成于上述阱层之上；以及两个沟渠式闸极，利用光刻技术蚀刻上述源极接触区、上述阱层，直到上述磊晶层而形成，在上述沟渠的侧壁形成氧化物并在上述沟渠内沉积多晶硅，该装置还包括一栓塞，用上述沟渠式闸极作为光罩，通过蚀刻部分的源极接触区至上述阱层上部，利用自我对准方式在上述阱层上部离子布置一第二导电型重掺杂物而形成，上述栓塞在上述经蚀刻的部分源极接触区的正下方直到上述阱层之内，上述栓塞与上述源极接触区并未在同一水平上。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，该装置包含：一汲极，由一离子布植有第一导电型重掺杂物的硅基板形成；一磊晶层，形成于上述硅基板之上，离子布植有第一导电型微掺杂物；一阱层，形成于上述磊晶层之上，离子布植有第二导电型微掺杂物；一源极接触区，形成于上述阱层之上，由离子布植第一导电型重掺杂物而形成；以及两个沟渠式闸极，依靠光罩利用光刻技术蚀刻上述源极接触区、上述阱层，直到上述磊晶层而形成，在上述沟渠的侧壁形成氧化物并在上述沟渠内沉积多晶硅，其特征在于：该装置还包括一栓塞，用上述沟渠式闸极作为光罩，通过蚀刻部分的源极接触区至上述阱层上部，利用自我对准方式在上述阱层上部离子布植一第二导电型重掺杂物而形成，上述栓塞在上述经蚀刻的部分源极接触区的正下方直到上述阱层之内，上述栓塞与上述源极接触区并未在同一水平上。
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