[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03105196.0 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1527403A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 涂高维;简凤佐;贡中元 | 申请（专利权）人： | 华瑞股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 台湾省台北市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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