[发明专利]测量光罩布局修正所引起桥接的方法与装置有效
申请号: | 02140312.0 | 申请日: | 2002-06-24 |
公开(公告)号: | CN1395146A | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 林政男 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/00;G03F9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种测量光罩布局修正所引起桥接的方法,包括首先提供具有布局的光罩,此布局至少包含导线图案、连接至导线图案的多个基极图案与多个接触图案组,其中任一接触图案组皆至少包含多个接触图案并且至少围绕一相对应基极未与导线图案连接的一端;然后修正布局,并将修正过布局转移至底材,而在底材上形成导线、多个基极与多个接触组;接着电性耦接这些接触组至一终端,并施加电信号于导线以测量终端有无出现因桥接而出现的电信号。 | ||
搜索关键词: | 测量 布局 修正 引起 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种可以测量基极与接触间桥接的装置,其特征在于,至少包含:一基极,该基极位于一底材上;一介电质层,该介电质层覆盖该底材与该基极;多个接触,这些接触是位于该介电质层内并与该底材接触,这些接触是相互分离并至少围绕部份该基极:以及一导体层,该导体层位于该介电质层上,并且该导体层电性耦接这些接触。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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