[发明专利]测量光罩布局修正所引起桥接的方法与装置有效
申请号: | 02140312.0 | 申请日: | 2002-06-24 |
公开(公告)号: | CN1395146A | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 林政男 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/00;G03F9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 布局 修正 引起 方法 装置 | ||
(1)技术领域
本发明有关一种测量对光罩图案修正所引起基极与接触间桥接(bridge)的方法、结构与布局。
(2)背景技术
由于图案转移程序往往不能百分之百地将光罩的图案转移至光阻,而且显影过程与蚀刻程序等也总难免会有耗损,因此实际形成在底材的图案往往与光罩的图案不同,而有下列的缺失:终端变圆(end rounding)、终端变短(end shorting)、角落变圆(corner rounding),临界尺寸偏差(critical dimension offset)以及桥接现像(bridging phenomena)。
因此,在实际的半导体制程中,为了克服上述的缺失,通常会在光罩布局(layout pattern)完成后,再对光罩布局进行修正,例如光学邻近修正(opticalproximity correction,OPC),然后才进行后续的图案转移程序等制程。而由于底材图案通常会较光罩图案短薄或变形,因此对光罩布局进行的修正通常是将光罩上实际所要的图案加宽、加长或添加辅助图案,藉以抵消光罩图案与底材图案间的差距,使得底材图案与未作修正前光罩的实际所要图案相同。而由于实际半导体制程中,光罩的图案包含了千千万万的单元,因此对光罩布局进行的修正总是由电脑依照设定的规则与参数自动进行的。因此,仅管操作人员可以藉由修改预定规则与参数来调整对光罩布局所作的修正,但一旦所使用的规则与参数已决定,操作人员并无法逐一控制各个单元的修正。
显然地,由于半导体元件的临界尺寸持续地缩短以及半导体元件的密度持续地增加,相邻图案单元的修正相互接触(一般称之为桥接)的可能性也随之增加。参见图1A、图1B、图1C与图1D所示的实际所需图案10与修正图案11,在此图1B为修正图案11未发生桥接的情形而图1D则为修正图案11发生桥接的情形。由于桥接现像是对实际所要图案10作出修正图案11时的副作用,因此桥接现像的出现往往无法在图案转移程序与蚀刻程序等被消除,会在底材图案上产生不应该存在的桥接,例如基极图案(用以形成基极)与相邻的接触图案(用以形成连接至发射极/集电极的接触)间的桥接或某一晶体管图案的基极图案与相邻晶体管图案的基极图案的桥接,进而引发不正常的短路等缺失。
因此,如何确认对光罩布局进行的修正有无引起不正常的桥接,便成为修正光罩布局所不可或缺的一环。习知技术中,或由于各个晶体管间的距离较晶体管内基极与接触间的距离大,或由于整个半导体元件的布局使得不同晶体管的基极明显分开等因素,因此仅着重在测量基极与位于其两侧的接触间的桥接,而其作法如图2A、图2B与图2C所示。
首先,当要形成的晶体管的布局如图2A所示那样包含有基极21与位于基极21两侧在元件区20的数个接触22时。为了测量这样的晶体管能否形成适当的光罩图案而不会发生桥接等缺失,先在光罩上形成类似图2A的图案而得到如图2B所示的近似基极图案23与数个近似接触图案24在修正元件区205,在此近似基极图案23与数个近似接触图案24的配置(configuration)基本上类似于基极21与数个接触22的配置,但尺寸大小与相对距离可以不同,然后先对图2B所示的图案进行修正(如光学邻近修正)再将修正过的图案转移到底材25而形成基极23与数个接触27,如图2C所示,在此为强调如何检测桥接,只画出因距离太近而使得部份地方真的发生桥接的情形。最后再电性耦接各接触27至一端点,然后施加电信号于基极并于此端点测量有无出现电信号。显然地,若端点出现电信号即代表至少一个接触27与基极23发生桥接,亦即对光罩布局的修正引发了桥接,而必须修改图2B所示的近似基极图案23与数个近似基极图案24。当然,也可视为这样的晶体管布局无法以现有的光罩布局图案修正适当形成,而必须修改此晶体管的布局或甚至现有的光罩布局图案。
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