[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02126473.2 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1399325A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 山下富生;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈红,楼仙英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种能够准确识别对准标记的位置和最佳形成掩埋布线的半导体器件的制造方法。该方法包括在半导体器件(11)上淀积绝缘膜(12)，然后刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔(13)和对准标记凹槽(14)。接着，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜(15)。该导电膜被淀积成以使导电膜的厚度(T15)小于对准标记凹槽的深度(T12)并小于对准标记凹槽的最小开口宽度(Wa)的一半。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体器件上淀积绝缘膜，刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔和用于对准的对准标记凹槽，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜，以整平淀积的导电膜的表面直到露出绝缘膜的表面而在对准标记凹槽中形成掩埋膜和在掩埋布线孔中形成掩埋布线，该方法的特征在于，淀积导电膜的步骤包括淀积导电膜，以使导电膜的厚度小于对准标记凹槽的深度并小于对准标记凹槽的最小开口宽度的一半。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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