[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体器件上淀积绝缘膜，刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔和用于对准的对准标记凹槽，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜，以整平淀积的导电膜的表面直到露出绝缘膜的表面而在对准标记凹槽中形成掩埋膜和在掩埋布线孔中形成掩埋布线，该方法的特征在于，淀积导电膜的步骤包括淀积导电膜，以使导电膜的厚度小于对准标记凹槽的深度并小于对准标记凹槽的最小开口宽度的一半。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，淀积导电层的步骤包括淀积导电膜，以便在借助化学机械抛光整平之后，绝缘膜的表面和对准标记凹槽中的掩埋膜的表面之间的水平高度差为0.1μm或更高。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，还包括以下步骤： 

在通过化学机械抛光整平之后，在对准标记凹槽中的掩埋膜、掩埋布线和绝缘膜上淀积布线膜；

在布线膜上形成硬掩模，以便在对准标记凹槽上形成上凹陷；

通过进行光刻转录硬掩模上的布线图形，以便上凹陷用作对准标记；和

刻蚀除了其上被转录了布线图形的部分之外的布线膜；

其中淀积导电膜的步骤包括淀积导电膜，以便在绝缘膜表面和对准标记凹槽中的掩埋膜表面之间形成下凹陷，下凹陷的深度被设定成在刻蚀布线膜的步骤之后布线膜不留在下凹陷中。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于，淀积导电膜的步骤包括淀积导电膜，以便下凹陷的深度为0.5μm或更小。

5.根据权利要求3的方法，其特征在于，淀积布线膜的步骤包括使用包含铝的材料淀积布线膜。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，淀积绝缘膜的步骤包括淀积至少包含有机SOG膜的叠加绝缘膜。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，淀积导电膜的步骤包括使用包含下列之一的材料淀积导电膜：钨、铜、铝、钛、钽、硅和包含这些金属的至少一种的合金。

8.根据权利要求1的方法，其特征还在于，包括以下步骤：

在进行淀积导电膜的步骤之前，在绝缘膜的至少一部分中注入离子。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，形成掩埋膜和掩埋布线，包括平整淀积的导电膜表面，直到进行化学机械抛光使绝缘膜表面露出为止的步骤。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于，淀积导电膜的步骤包括采用铜作为导电材料和借助电镀或化学镀淀积铜。

11.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体器件上淀积绝缘膜，刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔和用于对准的对准标记凹槽，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜，在对准标记凹槽中形成掩埋膜，和在掩埋布线孔中形成掩埋布线，以整平淀积的导电膜的表面直到露出绝缘膜的表面为止，该方法的特征在于，刻蚀步骤包括形成对准标记凹槽，以便对准标记凹槽的深度等于绝缘膜的厚度，并且其中淀积导电膜的步骤包括淀积导电膜，以使导电膜的厚度小于绝缘膜厚度并小于对准标记凹槽的最小开口宽度的一半。

12.根据权利要求11的方法，其特征还在于，包括以下步骤：

在形成绝缘膜之前，至少在形成对准标记凹槽的位置下面形成刻蚀停止层。

13.根据权利要求11的方法，其特征在于，淀积导电层的步骤包括淀积导电膜，以便在借助化学机械抛光整平之后，绝缘膜的表面和对准标记凹槽中的掩埋膜的表面之间的水平差为0.1μm或更高。

14.根据权利要求11的方法，其特征还在于，包括以下步骤：

在哦体内各国化学机械抛光整平之后，在对准标记凹槽中的掩埋膜、掩埋布线和绝缘膜上淀积布线膜；

在布线膜的表面上形成硬掩模，以便在对准标记凹槽上形成上凹陷；

通过进行光刻转录硬掩模上的布线图形，以便上凹陷用作对准标记；和

刻蚀除了其上被转移了布线图形的部分之外的布线膜；

其中淀积导电膜的步骤包括淀积导电膜，以便在绝缘膜表面和对准标记凹槽中的掩埋膜表面之间形成下凹陷，下凹陷的深度被设定成在刻蚀布线膜的步骤之后布线膜不留在下凹陷中。