[发明专利]测量集成半导体组件在高温时的可靠性的装置和方法无效
| 申请号： | 02126463.5 | 申请日： | 2002-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1399323A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | W·阿萨姆;J·发泽卡斯;A·马丁;D·斯米特斯;J·冯哈根 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及到测量集成半导体组件的可靠性的装置和方法，集成半导体组件具有一个载体基质(1)用于接受准备试验的集成半导体组件(HBE)，一个加热元件(HE)和一个温度传感器(TS)，其中温度传感器(TS)有至少部分的半导体组件的寄生的功能元件。从而可以特别准确和节省位置地进行可靠性试验。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 集成 半导体 组件 高温 可靠性 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.测量集成半导体组件可靠性的装置，具有一个载体基质(1)用于接受集成半导体组件(HBE)；一个加热元件(HE)用于加热半导体组件(HBE)；和一个温度传感器(TS)用于测量半导体组件(HBE)的温度其特征为，温度传感器有至少部分的半导体组件(HBE)的一个寄生的功能元件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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