[发明专利]测量集成半导体组件在高温时的可靠性的装置和方法

权利要求书

1.测量集成半导体组件可靠性的装置，具有

一个载体基质(1)用于接受集成半导体组件(HBE)；

一个加热元件(HE)用于加热半导体组件(HBE)；和

一个温度传感器(TS)用于测量半导体组件(HBE)的温度

其特征为，

温度传感器有至少部分的半导体组件(HBE)的一个寄生的功能元件。

2.按照专利权利要求1的装置，

其特征为，

寄生的功能元件是半导体组件(HBE)的寄生的pn-节。

3.按照专利权利要求1的装置，

其特征为，

寄生的功能元件是半导体组件(HBE)的寄生的双极性晶体管。

4.按照专利权利要求1的装置，

其特征为，

寄生的功能元件是半导体组件(HBE)的寄生的肖特基-或MOS-二极管。

5.按照专利权利要求1至4之一的装置，

其特征为，

半导体组件(HBE)有一个电阻、一个电容、一个电感、一个二极管、一个场效应晶体管、一个双极性晶体管和/或一个晶闸管。

6.按照专利权利要求1至5之一的装置，

其特征为，

将加热元件(HE)直接埋在载体基质(1)中的半导体组件(HBE)的附近。

7.按照专利权利要求1至6之一的装置，

其特征为，

为了温度传感器的寄生的部分-功能元件的完整性安排了一个附加的功能元件(K3，8)。

8.按照专利权利要求7的装置，

其特征为，

附加的功能元件有至少一个掺杂区(8)和/或一个连接(K3)。

9.按照专利权利要求1至8之一的装置，

其特征为，

寄生的功能元件直接位于半导体组件(HBE)相关的区域附近。

10.测量集成半导体组件可靠性的方法，具有以下步骤：

a)  进行一种测量方法借助于温度传感器(TS)测量通过加热元件(HE)引起的和在半导体组件(HBE)上真正加上的温度，温度传感器有至少部分的半导体组件(HBE)的寄生的功能元件；

b)  进行一种应激反应方法至少依赖于加热元件(HE)的温度给半导体组件(HBE)加负荷；

c)  至少依赖于加上的温度计算半导体组件的损坏时间点。

11.按照专利权利要求10的方法，

其特征为，

此外当加负荷时在半导体组件(HBE)中的应激反应电流密度和/或应激反应电压变化和当计算时应该考虑进去。

12.按照专利权利要求10或11的方法，

其特征为，

在步骤a)中将非常小的测量电流馈入温度传感器(TS)。

13.按照专利权利要求10至12之一的方法，

其特征为，

在步骤a)中将加在半导体组件(HBE)上的实际温度从寄生的功能元件的I/U-特性曲线或C/U-特性曲线中推导出来。

14.按照专利权利要求10至13之一的方法，

其特征为，

将步骤a)和步骤b)在时间上相互分开进行。

15.按照专利权利要求14的方法，

其特征为，

在步骤a)中进行加热元件(HE)的校准；和在步骤b)中依赖于被校准的加热元件进行半导体组件(HBE)的加负荷。

16.按照专利权利要求10至13之一的方法，

其特征为，

将步骤a)和步骤b)同时进行。