[发明专利]半导体存储器及其老化筛选方法有效
| 申请号： | 02124364.6 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1392569A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 小平觉;上原正也;小林等;熊谷敬 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在老化筛选中，能防止由于地址端子和数据输入(输入输出)端子等受损而导致的成品率下降的半导体存储器。在老化筛选状态中，SRAM芯片以基于计数器(T触发器(120－0～120－17))的来自外部的时钟信号的计数为基础，生成地址(A0′)信号～地址(A18′)信号。通过用解码器把该地址信号解码，来选择构成存储单元阵列的各存储单元(MC)的地址。然后，以来自T触发器(120－18)的输出端子(Q18)的信号为基础，生成数据(D1′)信号～数据(D16′)信号。通过把该数据信号的数据写入所选择的存储单元(MC)中，来进行老化筛选。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 老化 筛选 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包含多个存储单元，其特征在于：包括：成为所述半导体存储器的电源端子的第一端子；成为所述半导体存储器的接地端子的第二端子；输入用于使所述半导体存储器成为老化筛选状态的老化筛选状态信号的第三端子；输入来自外部的时钟信号的第四端子；在所述老化筛选状态信号的输入中，以所述时钟信号的计数为基础，生成用于选择所述多个存储单元中的各个存储单元的地址信号的地址信号生成部；在所述老化筛选状态信号的输入中，以所述时钟信号为基础，生成数据信号的数据信号生成部；在用所述地址信号选择的存储单元中，写入所述数据信号的数据的数据写入部。
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