[发明专利]半导体存储器及其老化筛选方法

权利要求书

1.一种半导体存储器，包含多个存储单元，其特征在于：

包括：

成为所述半导体存储器的电源端子的第一端子；

成为所述半导体存储器的接地端子的第二端子；

输入用于使所述半导体存储器成为老化筛选状态的老化筛选状态信号的第三端子；

输入来自外部的时钟信号的第四端子；

在所述老化筛选状态信号的输入中，以所述时钟信号的计数为基础，生成用于选择所述多个存储单元中的各个存储单元的地址信号的地址信号生成部；

在所述老化筛选状态信号的输入中，以所述时钟信号为基础，生成数据信号的数据信号生成部；

在用所述地址信号选择的存储单元中，写入所述数据信号的数据的数据写入部。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子以及所述第四端子是老化筛选专用；

包括：

与所述第一端子不同，成为所述半导体存储器的电源端子的第五端子；

与所述第二端子不同，成为所述半导体存储器的接地端子的第六端子。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，其特征在于：

所述地址信号生成部包含计数器；

来自所述计数器的输出成为所述地址信号。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于：

所述数据信号生成部包括把来自所述计数器的最终段的触发器的输出信号分频的信号分频部，以从所述信号分频部输出的信号为基础，生成所述数据信号。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体存储器，其特征在于：包括：

以所述老化筛选状态信号为基础来解除使字线和位线对的选择期间比周期时间早结束的功能的部件。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体存储器，其特征在于：包括：

输入来自外部的地址信号的地址信号输入电路；

输入来自外部的数据信号的数据信号输入电路；

所述地址信号输入电路根据所述老化筛选状态信号，禁止来自外部的地址信号的输入；

所述数据信号输入电路根据所述老化筛选状态信号，禁止来自外部的数据信号的输入。

7.一种半导体存储器的老化筛选方法，是包含多个存储单元的半导体存储器的老化筛选方法，其特征在于：包括：

使所述半导体存储器成为老化筛选状态的步骤；

给所述半导体存储器提供电位的步骤；

在所述老化筛选状态中，以来自外部的时钟信号的计数为基础，生成所述多个存储单元的各自的地址的步骤；

在所述老化筛选状态中，以所述时钟信号为基础来生成数据的步骤；

在与所述地址对应的存储单元中写入所述数据的步骤。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器的老化筛选方法，其特征在于：

解除使字线和位线对的选择期间比周期时间早结束的功能，进行所述写入步骤。

9.根据权利要求7或8所述的半导体存储器的老化筛选方法，其特征在于：

所述写入步骤包含在所述多个存储单元中写入第一电平，然后写入第二电平的步骤。

10.根据权利要求7～9中任意一项所述的半导体存储器的老化筛选方法，其特征在于：包括：

在所述老化筛选状态中，禁止来自外部的地址和数据的输入的步骤。

11.根据权利要求7～10中任意一项所述的半导体存储器的老化筛选方法，其特征在于：

所述老化筛选以晶片水平来进行。