[发明专利]半导体存储器及其老化筛选方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体存储器及其老化筛选方法。

背景技术

SRAM(static random access memory)等半导体存储器的故障分为初始故障、偶发故障、磨损故障。初始故障是由于制造半导体存储器时的不合格、缺陷等原因而产生的故障；偶发故障是由半导体存储器固有的可靠性决定的故障；磨损故障是由于半导体存储器的寿命而发生的故障。其中，为了消除初始故障，进行老化筛选。所谓老化筛选是指通过使半导体存储器在高于通常工作条件的温度和电压下工作，施以加速应力，据此而在短时间内除掉初始故障的不合格品的试验。初始故障的比率比其他两种故障高，通过用老化筛选除掉发生初始故障的半导体存储器，来提高半导体存储器的可靠性。

以往是以铸型封装等最终出厂方案来进行装配后的老化筛选的，但是，因为在老化筛选中，成为废品的芯片的装配成本造成了浪费，所以越来越要求在晶片状态下的老化筛选。

在通常的晶片水平的老化筛选中，使探头的针接触半导体存储器的地址端子和数据输入(输入输出)端子以及控制端子等，向各存储单元提供电压应力。此时，很多时候，在比标准的工作温度范围还高的温度条件下使其工作，使用专用的老化筛选装置，使之能在一次探测中同时对多个芯片施以应力。此时，除了基于通常的晶片测试的探测，还增加了基于老化筛选的探测，所以探头的针接触所述各端子的次数增加，因此，有时会对这些端子造成损伤，成为导致成品率下降的原因。

发明内容

鉴于以上所述问题的存在，本发明的目的在于：提供一种特别是在晶片水平的老化筛选中，能防止由于地址端子和数据输入(输入输出)端子以及控制端子等的损伤而导致的成品率下降，并能缩短老化筛选的时间的半导体存储器及其老化筛选方法。

(1)本发明一个方案的半导体存储器，包含多个存储单元，其特征在于：包括：

成为所述半导体存储器的电源端子的第一端子；

成为所述半导体存储器的接地端子的第二端子；

输入用于使所述半导体存储器成为老化筛选状态的老化筛选状态信号的第三端子；

输入来自外部的时钟信号的第四端子；

在所述老化筛选状态信号的输入中，以所述时钟信号的计数为基础，生成用于选择所述多个存储单元中的各个存储单元的地址信号的地址信号生成部；

在所述老化筛选状态信号的输入中，以所述时钟信号为基础，生成数据信号的数据信号生成部；

在用所述地址信号选择的存储单元中，写入所述数据信号的数据的数据写入部。

根据本发明的一个方案，以来自外部的时钟信号的计数为基础，生成用于选择所述多个存储单元的地址信号，然后，以来自外部的时钟信号为基础生成数据信号，进行向存储单元的写入。因此，在老化筛选中，因为不需要地址端子和数据输入(输入输出)端子以及通常动作中使用的控制端子，所以能防止地址端子和数据输入(输入输出)端子以及控制端子的损伤。因此，根据本发明的第一方案，能提高半导体存储器的制造成品率。

另外，根据本发明的一个方案，因为在老化筛选中使用的端子只是第一～第四端子。因为老化筛选的端子数有限制，所以能增加一次就能老化筛选的芯片数，从而能缩短每一个晶片的老化筛选时间。

另外，根据根发明的一个方案，以时钟信号的计数为基础，生成用于选择所述多个存储单元的地址信号，即连续生成地址，所以不需要复杂的地址信号生成电路。

并且，用发明实施例的[老化筛选状态]栏目说明了地址信号生成部、数据信号生成部、数据写入部的一个例子。所谓电源端子例如是VDD端子，所谓接地端子例如是VSS端子。

(2)在本发明一个方案中，

所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子以及所述第四端子是老化筛选专用的；

可以包括：

与所述第一端子不同，成为所述半导体存储器的电源端子的第五端子；

与所述第二端子不同，成为所述半导体存储器的接地端子的第六端子。

根据所述结构，因为所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子以及所述第四端子是老化筛选专用，所以即使在老化筛选时，由于探头的针的接触等原因而损伤了这些端子，也不会对半导体存储器的使用造成影响。

(3)在本发明的一个方案中，

所述地址信号生成部包含计数器；

能把来自所述计数器的输出作为所述地址信号。

(4)在本发明的一个方案中，

所述数据信号生成部包括把来自所述计数器的最终段的触发器的输出信号分频的信号分频部，能以从所述信号分频部输出的信号为基础，生成所述数据信号。