[发明专利]图案形成方法、用于该图案形成的曝光用的掩膜及其制造方法

摘要

该图案形成方法,通过第1处理,将多个存储单元的单元图案分别分离成位于从单元的最边缘部分只有规定的大小的内侧的第1图案群和除此以外的第2图案群。通过第2处理,为所述第2图案群对所给予的尺寸和尺寸精度能确保充分的处理余量,将决定其掩膜尺寸。通过第3处理,在所述的条件下,为使所述第1图案群加工成所希望的尺寸,将按照周边图案环境使其掩膜尺寸最佳化。通过第4处理,按照所述第2图案群的掩膜尺寸和所述第1图案群的掩膜尺寸形成所述存储单元的掩膜图案,通过第5处理,使用所述掩膜图案、在半导体晶片上形成所述单元图案。

主权项

1.一种图案形成方法，具备以下的处理：将多个存储单元的单元图案分别分离成位于从单元的最边缘部分只有规定的大小的内侧的第1图案群和除此以外的第2图案群的第1处理；决定所述第2图案群的掩膜尺寸，以便所述第2图案群对所给予的尺寸和尺寸精度能确保充分的处理余量的第2处理；在所述第2处理的条件下，按照周边图案环境使该掩膜尺寸最佳化，以便使第1图案群加工成所希望的尺寸的第3处理；根据由所述第2处理决定的所述第2图案群的掩膜尺寸和通过所述第3处理被最佳化的所述第1图案群的掩膜尺寸，形成所述存储单元的掩膜图案的第4处理；及使用由所述第4处理形成的掩膜图案，在半导体晶片上形成所述单元图案的第5处理。