[发明专利]包含非易失性半导体存储装置的半导体集成电路装置

摘要

一种半导体集成电路装置,它设有由非易失性半导体存储装置(存储单元)100在多个行和多个列上格子状排列形成的存储单元阵列。非易失性半导体存储装置包括在半导体基片10上间隔第一栅绝缘层12形成的字选通门14、在半导体基片10内形成的构成源区或漏区的杂质扩散层16、18以及沿着字选通门的一侧和另一侧分别形成的侧壁状第一和第二控制栅极20、30。第一和第二控制栅极分别间隔第二栅绝缘层22相对半导体基片、且间隔侧绝缘层24相对字选通门设置。并且,第一和第二控制栅极分别在列方向上连续布置,而且在行方向上邻接的一组第一和第二控制栅极连接于共用接触部分200。

主权项

1.一种具有存储单元阵列的半导体集成电路装置，该阵列由在多个行和多个列上成格子状排列的非易失性半导体存储装置构成；所述非易失性半导体存储装置包含，在半导体层上间隔第一栅绝缘层形成的字选通门，在所述半导体层内形成的构成源区或漏区的杂质扩散层，以及沿着所述字选通门的一侧和另一侧分别形成的侧壁状第一和第二控制栅极；所述第一控制栅极间隔第二栅绝缘层相对所述半导体层、且间隔侧绝缘层相对字选通门设置；所述第二控制栅极间隔第二栅绝缘层相对所述半导体层、且间隔侧绝缘层相对字选通门设置；所述第一和第二控制栅极分别在第一方向上连续布置，而且在与所述第一方向交错的第二方向上相邻接的一组第一与第二控制栅极均连接于共用接触部分。