[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01801057.1 | 申请日： | 2001-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1366713A | 公开（公告）日： | 2002-08-28 |
| 发明（设计）人： | Y·波诺马雷夫 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件具有半导体本体(1),此半导体本体(1)在第一表面(2)处有场效应晶体管(4),并在第二表面(3)处有第二栅(10)。第二栅被提供在半导体本体(1)中的凹陷(11)中,与第一表面(2)上的场效应晶体管(4)的第一栅(8)精确地对准。制造此半导体器件的方法包含将离子注入到在第一表面(2)上具有第一栅(8)并在第二表面(3)上具有氧化硅层(17)的半导体本体(1)中的步骤。注入是从第一表面(2)沿基本上垂直于此表面的方向完成的。注入的效果是在半导体本体(1)中第一栅(8)后面形成注入区(18),并在氧化硅层(17)中形成周围注入区(19)。用掺杂剂增强氧化方法,氧化硅被制作在注入区(18)中。氧化硅层(17)和区域(18)中的氧化硅被清除,以便形成凹陷(11),此凹陷被第二栅材料(20)填充,第二栅(10)由此材料构成。第二栅在抑制短沟道效应方面是有效的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有硅半导体本体(1)的半导体器件，此硅半导体本体(1)具有第一表面(2)和面对第一表面与之分开的第二表面(3)，配备有场效应晶体管(4)，此场效应晶体管(4)包含源(5)、漏(6)、置于其间的沟道(7)、以及排列成面对第一表面(2)上的沟道(7)的第一栅(8)，所述栅(8)沿所述第一表面(2)具有尺寸(9)，并配备有提供在面对第一栅(8)的第二表面(3)上的第二栅(10)，其特征是半导体本体(1)在第二表面(3)中具有深度(12)的凹陷(11)，此凹陷(11)与第一栅(8)的基本上垂直的投影同心，且在此凹陷(11)中提供第二栅(10)。
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