[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有硅半导体本体(1)的半导体器件，此硅半导体本体(1)具有第一表面(2)和面对第一表面与之分开的第二表面(3)，配备有场效应晶体管(4)，此场效应晶体管(4)包含源(5)、漏(6)、置于其间的沟道(7)、以及排列成面对第一表面(2)上的沟道(7)的第一栅(8)，所述栅(8)沿所述第一表面(2)具有尺寸(9)，并配备有提供在面对第一栅(8)的第二表面(3)上的第二栅(10)，其特征是半导体本体(1)在第二表面(3)中具有深度(12)的凹陷(11)，此凹陷(11)与第一栅(8)的基本上垂直的投影同心，且在此凹陷(11)中提供第二栅(10)。

2.权利要求1所述的半导体器件，其特征是第二栅(10)沿第二表面(3)具有对凹陷(11)的深度(12)平均的尺寸(13)，基本上最多相当于第一栅(8)的最大尺寸(9)。

3.权利要求1或2所述的半导体器件，其特征是凹陷(11)基本上被第二栅(10)整个填充。

4.权利要求1或2所述的半导体器件，其特征是栅介质(14)被提供在第一栅(8)与第一表面(2)之间。

5.权利要求1或2所述的半导体器件，其特征是栅介质(15)被提供在第二栅(10)与第二表面(3)之间。

6.权利要求1所述的半导体器件，其特征是衬底(16)对着第一栅(8)和半导体本体(1)的第一表面(2)。

7.一种制造具有硅半导体本体(1)的半导体器件的方法，此半导体本体(1)具有第一表面(2)和面对第一表面与之分开的第二表面(3)，并配备有场效应晶体管(4)，此场效应晶体管(4)包含源(5)、漏(6)、置于其间的沟道(7)、和提供在面对沟道(7)的第一表面(2)上的第一栅(8)，以及提供在面对沟道的第二表面(3)上的由第二栅材料组成的第二栅(10)，其特征是，在第一表面(2)上具有第一栅(8)并在第二表面(3)上具有氧化硅层(17)的半导体本体(1)，沿基本上垂直于第一表面(2)的方向并穿过第一表面(2)被注入掺杂剂离子，以便在硅半导体本体(1)中的第一栅(8)后面形成注入区(18)以及在所述区域(18)周围的氧化硅层(17)中形成注入区(19)，其上用注入区(18)中的掺杂剂增强氧化方法制作氧化硅，并清除所述区域中的氧化硅和氧化硅层(17)，使所述区域(18)处的第二表面(3)中产生凹陷(11)，并在凹陷(11)中提供第二栅材料(20)，由此材料形成第二栅(10)。

8.权利要求7所述的方法，其特征是，在提供第二栅材料(20)之前，在凹陷(11)中提供栅介质(15)。