[发明专利]检测装置以及传感器无效
申请号: | 01800096.7 | 申请日: | 2001-02-21 |
公开(公告)号: | CN1358276A | 公开(公告)日: | 2002-07-10 |
发明(设计)人: | 藤井达久;石冈圣悟;山冈秀嗣 | 申请(专利权)人: | OHT株式会社 |
主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种可以对导电图形的形状实施精细检测的检测装置和相应的传感器。其中传感元件可以包含有MOSFET,取表面积比较大的一侧扩散层构成被动元件,并且与导电图形相对设置。这种被动元件与MOSFET的源极相连接,门极与纵向选择部相连接,漏极与横向选择部相连接。当通过时间信号生成部对传感元件实施选择时,可以由纵向选择部向门极传送出信号,使MOSFET处于导通状态。此时,如果由电极触头输出检查信号,则导电图形上的电位将产生变化,而且随该变化会有电流由源极流入至漏极,进而通过横向选择部输出至信号处理部处。通过对输出有检出信号的传感元件的位置实施分析,便可以确定导电图形相对于回路基板上的位置。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 以及 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种用于对回路基板上的导电图形实施检查的、能够对该导电图形处由于供给有检查信号而产生的电位变化进行非接触式检查的检测装置,其特征在于具有:对所述导电图形上各部分的电位变化用若干个传感元件进行检查的检查组件;以及对所述传感元件实施选择的选择信号进行输出的选择组件,其中所述传感元件形成在半导体单晶体上或平板上,并且包括:相对于所述导电图形作为静电电容结合的对向电极作用的、对所述导电图形上的电位变化进行检出的被动元件;以及响应所述选择信号的输入,将所述被动元件输出的检出信号进行输出的晶体管。
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