[发明专利]检测装置以及传感器

说明书

技术领域

本发明涉及对回路基板上的导电图形实施检测用的检测装置，以及供这种检测装置使用的传感器。

背景技术

在回路基板的制造过程中，在将导电图形配置在基板上之后，需要对该导电图形是否存在有断线、短路等故障实施检测。

在先技术中应用于导电图形的这类检测技术，通常是使导电图形的两个端部与引线销针相接触，并通过由一个端部侧的引线销针向导电图形供给电气信号，由另一端部侧的引线销针接收电气信号的方式，对导电图形实施诸如导通检测等等的接触式检测技术。

然而在近年来，随着导电图形的日趋高密度化，在各导电图形上已经难以获得使各引线销针同时实施配置并与导电图形相接触所需要的足够空间，所以目前已经有人提出了不再设置引线销针，从而可以按照不与导电图形相接触的方式实施电气信号接收的非接触式检测技术(请参见日本特开平9-264919号)。

这种非接触式检测技术可以如图15所示，在作为被检测对象的导电图形用回路配线上的一个端部侧配置有与其相接触的引线销针，并且在另一端部侧配置有与导电图形不相接触的传感器导体，进而可以通过向引线销针供给检查信号的方式使导电图形产生电位变化，利用传感器导体对其实施检测，进而对导电图形是否存在有诸如断线等等故障实施检测。换句话说就是，可以利用如图16所示的等价回路，由放大回路对产生于传感器导体侧的电流实施放大之后，依据该电流的大小，对出现在导电图形上与传感器导体相对位置处的诸如断线或短路等故障实施检测。

然而，如上所述的这种在先技术中的非接触式检测技术，通常是通过其大小可以覆盖住位于印刷电路基板上的若干个印刷电路连线的电极，对由导电图形给出的电磁波实施信号接收的。因此，对于大小为50微米(μm)左右的印刷电路部件将难以实施高分辨率的检测，而且即使对于比较大的导电图形，也难以对诸如脱落等等故障实施检测。

本发明就是解决上述问题用的发明，本发明的目的就是提供一种可以对导电图形的形状实施精细检测用的传感器和相应的检测装置。

发明内容

为了能够实现上述目的，本发明提供了一种用于对回路基板上的导电图形实施检查的、能够对该导电图形处由于供给有检查信号而产生的电位变化实施非接触式检查的检测装置，其特征在于它具有：

使用若干个传感元件对所述导电图形上各部分的电位变化进行检出的检出组件；以及

对所述传感元件实施选择的选择信号进行输出的选择组件；

其中所述传感元件可以形成在半导体单晶体上或平板上，并且包括：

按照作为相对于所述导电图形实施静电电容结合的对向电极作用的、对所述导电图形上的电位变化进行检出的被动元件；以及

响应所输入的选择信号，对所述被动元件输出的检出信号进行输出的晶体管。

而且在本发明的一种最佳实施形式中，其进一步的特性还可以在于所述晶体管是一种实施电流读取用的金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述被动元件与作为源极的扩散层相连接，而且通过使所述选择信号输入至门极的方式，从漏极得到检出信号。

而且在本发明的一种最佳实施形式中，其进一步的特性还可以在于所述晶体管是一种实施电流读取用的薄膜晶体管，所述被动元件与所述薄膜晶体管上的源极相连接，而且通过使所述选择信号输入至门极的方式，从漏极得到检出信号。

而且在本发明的一种最佳实施形式中，其进一步的特性还可以在于所述晶体管是一种串联配置的第一、第二金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述被动元件与所述第一金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的门极相连接，所述选择信号与所述第二金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上的门极相连接，通过所述第二金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上的漏极，对响应施加在所述第一金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上门极的所述被动元件电位而变化着的所述第一金属—氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的源极电位实施接收，并且将其作为由源极给出的检出信号实施输出。

而且在本发明的一种最佳实施形式中，其进一步的特性还可以在于所述晶体管是一种串联配置的第一、第二薄膜晶体管，所述被动元件与所述第一薄膜晶体管上的门极相连接，所述选择信号与所述第二薄膜晶体管上的门极相连接，所以通过所述第二薄膜晶体管上的漏极，可以对响应施加在所述第一薄膜晶体管上门极的所述被动元件电位而变化着的所述第一薄膜晶体管的源极电位实施接收，并且将其作为由源极给出的检出信号实施输出。