[发明专利]检测装置以及传感器

权利要求书

1.一种用于对回路基板上的导电图形实施检查的、能够对该导电图形处由于供给有检查信号而产生的电位变化进行非接触式检查的检测装置，其特征在于具有：

对所述导电图形上各部分的电位变化用若干个传感元件进行检查的检查组件；以及

对所述传感元件实施选择的选择信号进行输出的选择组件，

其中所述传感元件形成在半导体单晶体上或平板上，并且包括：

相对于所述导电图形作为静电电容结合的对向电极作用的、对所述导电图形上的电位变化进行检出的被动元件；以及

响应所述选择信号的输入，将所述被动元件输出的检出信号进行输出的晶体管。

2.一种如权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述晶体管是实施电流读取用的金属—氧化物半导体场效应晶体管，所述被动元件与作为源极的扩散层相连接，通过使所述选择信号输入至门极的方式，由漏极获取出检出信号。

3.一种如权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述晶体管是实施电流读取用的薄膜晶体管，所述被动元件与所述薄膜晶体管上的源极相连接，通过将所述选择信号输入至门极的方式，由漏极获取出检出信号。

4.一种如权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述晶体管是串联配置的第一、第二金属—氧化物半导体场效应晶体管，所述被动元件与所述第一金属—氧化物半导体场效应晶体管上的门极相连接，所述选择信号与所述第二金属—氧化物半导体场效应晶体管上的门极相连接，通过所述第二金属—氧化物半导体场效应晶体管上的漏极，对响应施加在所述第一金属—氧化物半导体场效应晶体管上门极的所述被动元件电位而变化的所述第一金属—氧化物半导体场效应晶体管的源极电位实施接收，并且将其作为由源极给出的检出信号实施输出。

5.一种如权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述晶体管是串联配置的第一、第二薄膜晶体管，所述被动元件与所述第一薄膜晶体管上的门极相连接，所述选择信号与所述第二薄膜晶体管上的门极相连接，通过所述第二薄膜晶体管上的漏极，对响应施加在所述第一薄膜晶体管上门极的所述被动元件电位而变化的所述第一薄膜晶体管的源极电位实施接收，并且将其作为由源极给出的检出信号实施输出。

6.一种如权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述晶体管是双极晶体管，所述被动元件与发射极相连接，通过使所述选择信号输入至基极的方式，由集电极获取出检出信号。

7.一种如权利要求1所述的检测装置，其特征在于所述晶体管是实施电流读取用的金属—氧化物半导体场效应晶体管，所述被动元件与作为源极的扩散层相连接，通过使所述选择信号输入至门极的方式，降低形成在门极之下的电位位垒，使位于源极侧的信号电荷作为检出信号电荷传送至漏极侧，进而通过与漏极侧相连接的电荷传送元件对该检出信号实施传送。

8.一种如权利要求7所述的检测装置，其特征在于在向所述被动元件供给与所述导电图形的电位变化相对应的电荷，并且在导电图形上的电位变化结束之前，按照使所供给的电荷不能形成逆向流动的方式，将形成电位位垒的电荷供给用金属—氧化物半导体场效应晶体管上的漏极与所述被动元件的扩散层连续形成。

9.一种如权利要求1至8中的任何一项权利要求所述的检测装置，其特征在于所述传感元件在传感器阵列上呈矩阵形式配置。

10.一种如权利要求1至9中的任何一项权利要求所述的检测装置，其特征在于所述检查组件中的传感元件还进一步包含有与所述被动元件上的表面相接触用的导体板。

11.一种用于对回路基板上的导电图形实施检查用的检测装置，其特征在于具有：

相对于所述导电图形，供给随时间变化的检查信号的供给组件；

对所述导电图形上各部分响应所述检查信号产生的电位变化用若干个传感元件实施检出的检出组件；以及

对所述传感元件实施选择的选择信号进行输出的选择组件，

其中所述传感元件形成在半导体单晶体上，并且包括：

相对于所述导电图形作为静电电容结合的对向电极作用的、对所述导电图形上的电位变化进行检测的被动元件；以及

响应所述选择信号的输入，将所述被动元件输出的检出信号进行输出的晶体管。