[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 01142970.4 | 申请日： | 2001-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1357924A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 山田敬;梶山健 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件,具有在半导体衬底上边被绝缘膜隔离开来形成有第1半导体层的器件衬底。在器件衬底上,把沟形成为使得具有从半导体层的上表面一直达到上述绝缘膜的内部为止的深度,而且,具有在上述绝缘膜的上部沟径被扩大的沟径扩大部分。在该沟径扩大部分上,在与上述半导体层的下表面进行接连的状态下埋入杂质扩散源。形成具有第2导电类型的第1扩散层和第2扩散层以及在上述杂质扩散源上方的上述沟的侧面上中间存在着栅极绝缘膜形成的栅极电极的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上边用绝缘膜隔离开来形成有第1导电类型的半导体层的器件衬底；具有从上述半导体层的上表面开始一直到达上述绝缘膜的内部的深度，而且，在上述绝缘膜的上部，在把沟径形成为使得具有被扩大了的沟径扩大部分的沟的上述沟径扩大部分上，在与上述半导体层的下表面接连的状态下埋入进来的杂质扩散源；和具有由源于杂质扩散源的向上述半导体层的下表面的杂质扩散形成的第2导电类型的第1扩散层、由向上述半导体层的上表面进行的杂质扩散形成的第2导电类型的第2扩散层、以及在上述杂质扩散源的上方的上述沟的侧面上中间存在着栅极绝缘膜地形成的栅极电极的晶体管。
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